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플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015135924
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 방법은, 빛의 세기(line intensity)에 대한 수학적 모델링을 설립하는 단계; 및 설립된 상기 수학적 모델링에 기초하여 EEDF(Electron Energy Distribution Function)를 측정하는 단계를 포함하며, 측정된 상기 EEDF의 변동에 기초하여 공정 플라즈마 상태에 관한 모니터링을 수행하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/00 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32926(2013.01) H01J 37/32926(2013.01) H01J 37/32926(2013.01)
출원번호/일자 1020110123540 (2011.11.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1354343-0000 (2014.01.15)
공개번호/일자 10-2013-0057677 (2013.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김곤호 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 박설혜 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 노현준 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)
2 황주명 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)(특허법인 에이치엠피)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0932302-16
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0138368-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0074303-57
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0120323-12
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0349986-63
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0445738-87
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0555487-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0555484-87
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0631990-86
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0940546-40
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0940545-05
14 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0909716-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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빛의 세기(line intensity)에 대한 수학적 모델링을 설립하는 단계;설립된 상기 수학적 모델링에 기초하여 EEDF(Electron Energy Distribution Function)를 측정하는 단계; 및측정된 상기 EEDF의 변동에 기초하여 공정 플라즈마 상태에 관한 플라즈마의 전자 에너지분포 특성 변동의 모니터링을 수행하는 단계를 포함하며,상기 빛의 세기에 대한 수학적 모델링은 다음과 같은 식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 방법:여기서, 상기 σ(E)는 에너지 E를 갖는 전자와 원자의 충돌에 의한 충돌 여기 단면적을 나타내며, Et는 여기 반응을 일으킬 수 있는 최소한의 에너지 문턱값(threshold energy)를 나타내고, h(E)는 수학적 필요성에 의하여 의 식으로 정의하고,상기 h(E)는, f(E)ㆍ(2E/me)1/2 = h'(E)로 정의하여 사용된 함수로서, me는 전자 질량이며, f(E)는 f(E)=AE1/2exp(-CEb)라는 일반적 표현법에 따라 정의되는 EEDF를 나타내고, A와 C는 b에 의해 결정되는 계수이고 b는 EEDF의 형태를 결정하는 형태 결정 인자(shaping factor)를 나타내며, 함수의 윗첨자인 '은 에너지 E에 대한 미분 함수임을 뜻함
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빛의 세기(line intensity)에 대한 수학적 모델링을 설립하는 수학적 모델링 설립부;설립된 상기 수학적 모델링에 기초하여 EEDF를 측정하는 EEDF 계산부; 및측정된 상기 EEDF의 변동에 기초하여 공정 플라즈마 상태에 관한 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동의 모니터링을 수행하는 모니터링 수행부를 포함하며,상기 빛의 세기에 대한 수학적 모델링은 다음과 같은 식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 장치:여기서, 상기 σ(E)는 에너지 E를 갖는 전자와 원자의 충돌에 의한 충돌 여기 단면적을 나타내며, Et는 여기 반응을 일으킬 수 있는 최소한의 에너지 문턱값(threshold energy)를 나타내고, h(E)는 수학적 필요성에 의하여 의 식으로 정의하고,상기 h(E)는, f(E)ㆍ(2E/me)1/2 = h'(E)로 정의하여 사용된 함수로서, me는 전자 질량이며, f(E)는 f(E)=AE1/2exp(-CEb)라는 일반적 표현법에 따라 정의되는 EEDF를 나타내고, A와 C는 b에 의해 결정되는 계수이고 b는 EEDF의 형태를 결정하는 형태 결정 인자(shaping factor)를 나타내며, 함수의 윗첨자인 '은 에너지 E에 대한 미분 함수임을 뜻함
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