맞춤기술찾기

이전대상기술

3차원 세포 배양 용구 및 이를 이용한 세포의 3차원 배양 방법

  • 기술번호 : KST2015136072
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 세포 배양 용구 및 이를 이용한 세포의 3차원 배양 방법 에 관한 것이다. 본 발명의 3차원 세포 배양 장치 및 이를 이용한 3차원 세포 배양 방법은 나노 입자가 포함된 배양액에서 세포를 기초 배양하여, 자성 나노 입자를 세포 내 또는 세포막에 도입시키고, 상기 자성 나노 입자가 도입된 세포에 자성을 인가하여 별도의 표면 처리 없이, 배양액 내의 부유 상태에서 스페로이드를 형성할 수 있는 효과를 나타낸다.
Int. CL C12M 1/18 (2006.01.01) C12M 3/02 (2006.01.01) C12N 5/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120050142 (2012.05.11)
출원인 서울대학교산학협력단, 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1412155-0000 (2014.06.19)
공개번호/일자 10-2013-0033938 (2013.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110097397   |   2011.09.27
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.11)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박태현 대한민국 서울 서초구
2 김정아 대한민국 대전 유성구
3 박정극 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태선 대한민국 서울(해산으로 인한 퇴사 후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0377535-52
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0060602-61
3 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance
2012.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0062874-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0709496-94
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1151981-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0044582-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0154670-68
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0154672-59
11 등록결정서
Decision to grant
2014.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0413651-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
세포를 배양하기 위한 웰을 포함하는 배양 플레이트부;상기 배양 플레이트부를 덮는 커버부; 및상기 커버부의 상기 배양 플레이트부와 접하는 표면으로부터 상기 배양 플레이트부의 상게 웰 내부로 향하여 연장된 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 자성을 나타내는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 돌출부는 영구 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
4 4
제 1 항에 있어서,상기 돌출부는 전자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
5 5
제 4 항에 있어서,상기 전자석에 공급되는 전류의 크기와 공급 시간을 제어하는 제어부 및 상기 제어부에 의하여 정해진 시간 동안 상기 전자석에 전원을 공급하는 전원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
6 6
제 1 항에 있어서,상기 돌출부의 길이는 상기 웰의 깊이의 1/20 내지 9/10 인 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
7 7
제 1 항에 있어서,상기 돌출부는 상기 세포를 배양하기 위한 웰 당 1개씩 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
8 8
제 1 항에 있어서,상기 돌출부는 상기 세포를 배양하기 위한 웰 당 복수개 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
9 9
제 1 항에 있어서,상기 돌출부의 말단이 뾰족하게 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구
10 10
나노 입자가 포함된 배양액에서 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 세포를 기초 배양하는 단계;상기 배양된 세포를 포함하는 배양액을 배양 플레이트부의 웰에 수용하는 단계;돌출부를 포함하는 커버부로 상기 배양 플레이트부의 표면을 커버하여 상기 돌출부가 상기 웰의 내부에 위치하도록 하는 단계; 및상기 돌출부의 자성에 의하여 상기 세포가 스페로이드를 형성하면서 배양되는 단계;를 포함하는 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 3차원 세포 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 배양된 세포를 포함하는 배양액을 상기 배양 플레이트부의 웰에 수용하는 단계에서는 상기 돌출부의 말단이 상기 배양된 세포와 배양액과 접촉하지 않도록 수용하는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 배양된 세포를 포함하는 배양액을 상기 배양 플레이트부의 웰에 수용하는 단계에서는 상기 돌출부의 말단이 상기 배양된 세포와 배양액과 접촉하도록 수용하는 것을 특징으로 하는 3차원 세포 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 나노 입자가 포함된 배양액에서 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 세포를 기초 배양하는 단계에서는 상기 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 세포의 종류가 복수개이고, 상기 복수개 종류의 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 세포가 상기 나노 입자가 포함된 배양액에서 혼합되어 동시에 기초 배양되는 것을 특징으로 하는 3차원 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 제 1 세포, 제 2 세포를 나노 입자가 포함된 각각의 배양액에서 별도로 기초 배양하는 단계;상기 배양된 제 1 세포를 포함하는 배양액을 배양 플레이트부의 웰에 수용하는 단계;상기 돌출부를 포함하는 커버부로 상기 배양 플레이트부의 표면을 커버하여 상기 돌출부가 상기 웰의 내부에 위치하도록 하는 단계; 상기 돌출부의 자성에 의하여 상기 제 1 세포가 스페로이드를 형성하면서 배양되는 단계;상기 배양된 제 2 세포를 포함하는 배양액을 상기 제 1 세포 스페로이드 형성된 배양 플레이트부의 웰에 공급하는 단계; 및 상기 돌출부의 자성에 의하여 상기 제 2 세포가, 상기 제 1 세포 스페로이드를 코어부로 하고, 쉘부를 형성하는 스페로이드를 형성하면서 배양되는 단계;를 포함하는 3차원 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 스페로이드 형태로 배양하기를 원하는 복수 종류의 세포를 나노 입자가 포함된 각각의 배양액에서 별도로 기초 배양하는 단계;상기 배양된 복수 종류의 세포를 포함하는 배양액을 별도의 배양 플레이트부의 웰에 수용하는 단계;상기 돌출부를 포함하는 커버부로 상기 배양 플레이트부의 표면을 커버하여 상기 돌출부가 상기 웰의 내부에 위치하도록 하는 단계; 상기 복수 종류의 세포가 상기 돌출부의 자성에 의하여 각각 1차 스페로이드를 형성하면서 배양되는 단계;상기 배양된 각각의 복수 종류 세포의 스페로이드를 혼합하는 단계 ; 및상기 혼합된 복수 종류 세포의 1차 스페로이드가 상기 돌출부의 자성에 의하여 2차 스페로이드를 형성하면서 배양되는 단계;를 포함하는 3차원 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 자성 나노 입자는 마그네타이트, Fe3O4, γ-Fe2O3, 망간 페라이트, 코발트 페라이트 및 니켈 페라이트로 이루어진 그룹에서 선택되는 1개 또는 복수개인 것을 특징으로 하는 3차원 배양 용구를 이용한 세포의 3차원 배양 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013047974 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교산학협력단 미래유망융합기술파이오니어사업 자성 나노 입자를 이용한 신경 세포 정렬 기술 개발