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Sn 기반 삼성분계 산화물 반도체 나노 분말 제조 방법 및 제조된 분말을 이용한 광전극 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015136090
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신규한 Sn 기반의 삼성분계 산화물 반도체막이 개시된다. 본 발명은 무기염 소스로 Sn을 포함하되, Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 알칼리 토금속 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소의 무기염 소스를 물과 과산화수소의 혼합 용매에 용해하는 단계; 상기 혼합 용액의 pH를 변화시켜 침전 반응시키고 숙성하는 단계; 상기 숙성을 거친 침전물을 건조 및 어닐링하여 MSnO3 (여기서, M은 Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소를 포함함) 분말을 제조하는 단계를 포함하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 나노 크기의 균일한 입도 분포를 갖는 삼성분계 산화물 반도체 화합물을 제공할 수 있게 된다.
Int. CL C01G 19/00 (2006.01.01) C01B 13/08 (2006.01.01) C01F 11/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120075415 (2012.07.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1439835-0000 (2014.09.03)
공개번호/일자 10-2014-0015696 (2014.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍국선 대한민국 서울 서초구
2 신성식 대한민국 서울 은평구
3 석재호 대한민국 서울 서초구
4 박상백 대한민국 서울 관악구
5 박종훈 대한민국 서울 강남구
6 조인선 대한민국 경기 남양주시
7 김동욱 대한민국 경기 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0553304-07
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0089684-17
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0657453-07
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0751441-32
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0769982-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019852-12
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0732762-74
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-1183255-92
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0069715-52
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0174997-40
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0276574-11
14 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0052997-16
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0375786-27
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0375787-73
17 등록결정서
Decision to grant
2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0576350-96
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
1 1
무기염 소스로 Sn을 포함하되, Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 알칼리 토금속 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소의 무기염 소스를 물과 과산화수소의 혼합 용매에 용해하는 단계;상기 혼합 용액의 pH를 변화시켜 침전 반응시키고 숙성하는 단계; 및상기 숙성을 거친 침전물을 건조 및 어닐링하여 MSnO3 (여기서, M은 Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소를 포함함) 분말을 제조하는 단계를 포함하고,상기 용해 단계의 혼합 용매는 시트릭산 또는 아스코빅산을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
무기염 소스로 Sn을 포함하되, Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 알칼리 토금속 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소의 무기염 소스를 물과 과산화수소의 혼합 용매에 용해하는 단계;상기 혼합 용액의 pH를 변화시켜 침전 반응시키고 숙성하는 단계; 및상기 숙성을 거친 침전물을 건조 및 어닐링하여 MSnO3 (여기서, M은 Ba, Sr 및 Ca로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 원소를 포함함) 분말을 제조하는 단계를 포함하고,상기 용해 단계의 혼합 용매의 pH는 9~11인 것을 특징으로 하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 침전 반응 단계에서 암모니아 또는 수산화나트륨을 투입하여 pH를 변화시키는 것을 특징으로 하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법
5 5
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 물과 과산화수소의 혼합 용매로는 과산화수소수가 사용되며, 상기 과산화수소수는 농도가 10~35%인 것을 특징으로 하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 MSnO3 분말은 입도가 50 nm 이하인 것을 특징으로 하는 삼성분계 산화물 반도체 화합물의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20140017163 US 미국 FAMILY

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1 US2014017163 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교산학협력단 기초연구사업 고효율 수소생산용 광할성 소재의 조성 디자인을 위한 기초 이론연구 및 구축/플래폼