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초전도체 및 초전도체 형성방법

  • 기술번호 : KST2015136143
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 초전도막 형성방법이 기술된다. 상기 방법은 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고, 그리고 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여 분산된 희토류 산화물 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성한다.
Int. CL H01L 39/12 (2006.01.01) H01L 39/24 (2006.01.01) H01B 12/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120085768 (2012.08.06)
출원인 서울대학교산학협력단, 주식회사 서남
등록번호/일자 10-1456152-0000 (2014.10.23)
공개번호/일자 10-2014-0019558 (2014.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20141103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 서남 대한민국 경기도 안성시 승량길 ** (

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유상임 대한민국 서울 송파구
2 이정우 대한민국 서울 동작구
3 최순미 대한민국 서울 관악구
4 문승현 대한민국 경기 성남시 분당구
5 이헌주 대한민국 경기 용인시 수지구
6 이재훈 대한민국 경기 김포시 사우중로**번길 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 주식회사 서남 경기도 안성시 승량길 ** (
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0626941-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0661481-06
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1069172-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1154994-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-1154995-80
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0254894-47
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0542473-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0542474-61
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0613232-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고; 그리고상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성하는 것을 포함하고,상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하는 것은:10-2토르 이하의 제1 산소분압 하에서 상기 기판을 850도 이상의 제1 온도까지 가열하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 비정질 상태를 갖도록 하는 제1 열처리 단계;상기 제1 온도 하에서 상기 제1 산소분압보다 높은 상기 10-2토르 이상의 제2 산소분압으로 상기 기판을 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액체 상태를 갖도록 하는 제2 열처리 단계; 및상기 제2 산소분압 하에서 상기 기판을 상기 제1 온도보다 낮은 상기 850도이하의 제2 온도로 감소시켜, 단결정 구조의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 초전도체의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 희토류 산화물은 상기 제 2 열처리 단계에서 생성되고,상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물은, 상기 희토류 산화물 내의 희토류를 소모하면서 상기 액체 상태의 상기 희토류-구리-바륨 산화물로부터 성장하는 초전도체의 형성방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 산소분압은 10-6 ~ 10-3 토르이고, 상기 제2 산소분압은 10-2 ~ 10-1토르인 초전도체의 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 희토류 산화물의 알갱이는 1㎛이하의 크기를 갖는 초전도체의 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 또는 상기 금속의 상기 기판상에 집합조직을 갖는 산화물 버퍼층을 포함하고,상기 희토류 산화물은 상기 기판 또는 상기 산화물 버퍼층으로부터 성장하는 초전도체의 형성방법
6 6
단결정 구조의 희토류-바륨- 구리 산화물; 및상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치되어 상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물의 초전도체 내에서 자속 고정점들로 작용하는 희토류 산화물 알갱이 및 바륨-구리 산화물 알갱이를 포함하는 희토류-바륨- 구리 산화물 박막
7 7
청구항 6에 있어서,상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 분산되어 함유된 구리 산화물 알갱이들을 더 포함하는 희토류-바륨-구리 산화물 박막
8 8
청구항 6에 있어서,상기 희토류 산화물 알갱이들은 1㎛이하의 크기를 갖는 희토류-바륨-구리 산화물 박막
9 9
청구항 6에 있어서,상기 희토류 산화물 알갱이들은 길쭉한 모양을 갖는 희토류-바륨-구리 산화물 박막
10 10
기판; 상기 기판 상에 형성된 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 하나의 희토류-바륨-구리 산화물 박막; 및상기 희토류-바륨-구리 산화물 박막의 상부면에 형성된 바륨-구리 산화물들을 포함하는 초전도막
11 11
청구항 10에 있어서,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속, 또는 금속 기판 상에 집합조직을 갖는 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도막
12 12
청구항 1에 있어서,상기 제1 온도는 1000도이고, 상기 제 2 온도는 700도인 초전도체의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP27532630 JP 일본 FAMILY
2 US20150228379 US 미국 FAMILY
3 WO2014025088 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2015532630 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 RU2598150 RU 러시아 DOCDBFAMILY
3 US2015228379 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2014025088 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.