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금속 박막에 형성된 간섭 발생부로, 제1 방향에서 설정 입사각을 가지는 제1 빛을 조사하고, 제2 방향에서 설정 입사각을 가지는 제2 빛을 조사하는 단계;상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛을 조절하여 상기 간섭 발생부에 대하여, 반대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계; 및상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛을 조절하여 상기 간섭 발생부에 대하여, 정대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계를 포함하는 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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제1항에 있어서,상기 반대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계에서 상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛의 위상 차이가 2nπ(n은 정수)만큼 차이 나는 경우에, 상기 반대칭적 표면 플라즈몬이 여기되는, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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제1항에 있어서,상기 정대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는 단계에서 상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛의 위상 차이가 (2n+1)π(n은 정수)만큼 차이 나는 경우에, 상기 정대칭적 표면 플라즈몬이 여기되는, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서상기 간섭 발생부는 금속 슬릿인, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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제1항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서상기 간섭 발생부는 금속 개구인, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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제1항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서상기 간섭 발생부에서 발생되는 반대칭적 표면 플라즈몬 여기에 따른 제1 결합 계수와 상기 정대칭적 플라즈몬 여기에 따른 제2 결합 계수의 관계가 다음의 조건을 만족하는, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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7
제1항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서상기 제1 빛과 제2 빛은 상기 간섭 발생부에 대하여 수직한 선을 기준으로 입사각이 서로 동일하며, 상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 반대인, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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8
제6항에 있어서상기 제1 빛 및 상기 제2 빛 중에서 하나의 빛의 세기와 위상을 고정한 상태에서, 나머지 빛의 세기와 위상을 조절하여 표면 플라즈몬이 여기되는 방향을 스위칭하는 단계를 더 포함하는, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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9
제6항에 있어서상기 제1 빛 및 상기 제2 빛 중에서 하나의 빛의 세기와 위상을 고정한 상태에서, 나머지 빛의 위상만을 조절하여 표면 플라즈몬이 여기되는 방향을 스위칭하는 단계를 더 포함하는, 표면 플라즈몬 스위칭 방법
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10
설정 너비와 설정 두께를 가지는 간섭 발생부가 형성되어 있는 금속 박막; 및상기 금속 박막의 간섭 발생부로, 제1 방향에서 설정 입사각을 가지는 제1 빛을 조사하고, 제2 방향에서 설정 입사각을 가지는 제2 빛을 조사하는 빛 조사부를 포함하고,상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛의 위상차를 조절하여 상기 간섭 발생부에 대하여, 반대칭적 표면 플라즈몬 및 정대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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11
제10항에 있어서상기 간섭 발생부는 슬릿 또는 개구 형상으로 이루어지는, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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제10항 또는 제11항에 있어서상기 빛 조사부는 상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛의 위상 차이가 2nπ(n은 정수)만큼 차이나는, 제1 빛과 제2 빛을 상기 간섭 발생부로 조사하여 상기 반대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 빛 조사부는 상기 제1 방향의 제1 빛과 상기 제2 방향의 제2 빛의 위상 차이가 (2n+1)π(n은 정수)만큼 차이나는, 제1 빛과 제2 빛을 상기 간섭 발생부로 조사하여 상기 정대칭적 표면 플라즈몬을 여기시키는, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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14
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 간섭 발생부에서 발생되는 반대칭적 표면 플라즈몬 여기에 따른 제1 결합 계수와 상기 정대칭적 플라즈몬 여기에 따른 제2 결합 계수의 관계가 다음의 조건을 만족하는, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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15
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 빛과 제2 빛은 평행 편광(p-polarized light)을 가진 빛인, 표면 플라즈몬 스위칭 장치
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