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방열 조성물 및 이의 제조 방법, 방열 조성물을 포함하는 발광소자 패키지

  • 기술번호 : KST2015136359
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따르는 발광소자 패키지가 제공된다. 상기 발광소자 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 실장되는 발광소자 칩, 및 상기 패키지 기판과 상기 발광소자 칩 사이에 배치되는 계면층을 구비한다. 상기 계면층은 그라핀 필러가 분산된 실리콘 수지를 포함한다.
Int. CL H01L 33/64 (2010.01.01)
CPC H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01)
출원번호/일자 1020130056019 (2013.05.16)
출원인 서울반도체 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2050575-0000 (2019.11.25)
공개번호/일자 10-2014-0135554 (2014.11.26) 문서열기
공고번호/일자 (20191203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울반도체 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이채현 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 장정식 대한민국 서울 강남구
3 이승애 대한민국 서울 서초구
4 오광용 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울반도체 주식회사 경기도 안산시 단원구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0435970-84
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0060661-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0581642-59
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0079591-14
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0627622-14
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0097494-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087193-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5143160-58
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0203030-76
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0466391-57
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0146484-69
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0441613-14
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0475306-32
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0475287-52
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
20 등록결정서
Decision to grant
2019.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0609077-72
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
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말단 비닐기를 함유하는 실록산을 포함하는 제1 실리콘 수지 및 경화제를 함유하는 제2 실리콘 수지를 준비하는 단계;상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지 중 어느 하나에 그라핀을 1차 분산시키는 단계; 및상기 1차 분산된 상기 그라핀을 포함하는 상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지 중 어느 하나를 나머지 다른 하나와 혼합하는 단계를 포함하는방열 조성물의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 실리콘 수지는 말단비닐기 함유 실록산 60 중량% 이상 90 중량% 미만, 실리콘 수지 10 내지 30 중량% 및 사이클로실록산 0 초과 10 중량% 이하를 포함하고,상기 제2 실리콘 수지는 실세스키옥산 60 중량% 내지 90 중량% 및 폴리실록산 10 내지 40 중량%를 포함하는방열 조성물의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지의 중량비는 1: 4 이며, 상기 제2 실리콘 수지 대비 상기 그라핀의 중량비는 1: 0
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제14 항에 있어서,상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지 중 어느 하나에 그라핀을 1차 분산시키는 단계는상기 그라핀을 용매에 분산시키는 단계;상기 그라핀이 분산된 용매와 상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지 중 어느 하나를 혼합하고 교반시켜 중간 조성물을 형성하는 단계; 및상기 중간 조성물로부터 상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는방열 조성물의 제조 방법
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청구항 14에 있어서,상기 1차 분산된 상기 그라핀을 포함하는 상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지 중 어느 하나를 나머지 다른 하나와 혼합하는 단계는상기 제1 실리콘 수지 및 상기 제2 실리콘 수지를 교반시켜 상기 그라핀을 제1 및 제2 실리콘 수지 내에 균일하게 2차 분산시키는 단계를 포함하는방열 조성물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.