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일산화 규소에 열을 가하여 열처리하는 S1 단계;상기 열처리된 일산화 규소를 기계적 분쇄·합금화하는 S2 단계; 및상기 기계적 분쇄·합금화 단계를 거친 일산화 규소를 셀프 템플릿 에칭하는 S3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S1 단계에서, 일산화 규소는 분말형태인 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S1 단계는 불활성 분위기 및 800℃ 이상의 온도 조건 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S2 단계의 기계적 분쇄·합금화는 볼밀링법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S3 단계의 셀프 템플릿 에칭 시, 사용되는 에칭 용액은 규소 및 규소 산화물 각각에 있어서 에칭 속도를 달리하는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 에칭 용액은 수산화나트륨 용액인 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S1 단계 또는 S2 단계에서, 탄소(C), 규소(Si), 인(P), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 납(Pb), 비소(As), 비스무트(Bi), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 은(Ag), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 붕소(B) 및 황(S)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 성분이 더 첨가되는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S1 단계 또는 S2 단계에서, 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네슘(Tc), 루비듐(Ru), 란탄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 성분이 더 첨가되는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 S1 단계 또는 S2 단계에서, 붕소 (B), 알루미늄 (Al), 티타늄 (Ti), 마그네슘 (Mg), 칼슘 (Ca), 리튬 (Li), 지르코늄 (Zr) 및 베릴륨 (Be) 으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 성분이 더 첨가되는 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소 제조 방법
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제 1 항의 방법에 의해 제조되는 다공성 일산화 규소
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제 10 항에 있어서,상기 다공성 일산화 규소에 카본(C)이 더 코팅된 것을 특징으로 하는 다공성 일산화 규소
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제 10 항의 다공성 일산화 규소를 활물질로 포함하는 음극 재료
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제 11 항의 다공성 일산화 규소를 활물질로 포함하는 음극 재료
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제 12 항 또는 제 13 항의 음극 재료를 포함하는 리튬 이차전지
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