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단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015136428
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 단일 광자 소자는 기판 상에 구비된 캐리어 수송층과 상기 캐리어 수송층 상에 존재하는 적어도 하나의 양자점을 포함한다. 상기 캐리어 수송층은 홀 수송층일 수 있다. 상기 캐리어 수송층 상에 상기 적어도 하나의 양자점을 포함하는 양자점막이 구비될 수 있다. 단일 광자 방출 전달 장치는 단일 광자 소자와, 상기 단일 광자 소자에 단일 전하를 주입하는 수단과, 상기 단일 광자 소자로부터 방출되는 광을 집광하는 집광부와, 상기 집광부에 집광된 광을 상기 집광부 밖으로 전달하는 광 운반수단을 포함하고, 상기 단일 광자 소자는 상기한 바와 같을 수 있다.
Int. CL H05B 33/02 (2006.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130071162 (2013.06.20)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0147983 (2014.12.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조경상 대한민국 경기 과천시 양지마
2 국양 대한민국 서울특별시 관악구
3 임성준 대한민국 서울특별시 관악구
4 최병룡 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0552274-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0605082-26
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0132079-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0866152-15
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0096337-26
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0096336-81
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0429691-32
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0880778-71
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0880777-25
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상기 기판 상에 구비된 캐리어 수송층 및상기 캐리어 수송층 상에 존재하는 적어도 하나의 양자점을 포함하는 단일 광자 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 캐리어 수송층은 홀 수송층인 단일 광자 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 홀 수송층은 TFB층, TPD층, PVK층, p-TPD층, 무기물 p형 산화물층 및 무기물 p형 반도체층 중 어느 하나인 단일 광자 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 캐리어 수송층 상에 상기 적어도 하나의 양자점을 포함하는 양자점막이 구비된 단일 광자 소자
5 5
단일 광자 소자상기 단일 광자 소자에 단일 전하를 주입하는 수단상기 단일 광자 소자로부터 방출되는 광을 집광하는 집광부 및 상기 집광부에 집광된 광을 상기 집광부 밖으로 전달하는 광 운반수단을 포함하고,상기 단일 광자 소자는,기판상기 기판 상에 구비된 캐리어 수송층 및상기 캐리어 수송층 상에 존재하는 적어도 하나의 양자점을 포함하는단일 광자 방출 전달 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 단일 전하 주입 수단은 STM(Scanning Tunneling Microscope) 팁인 단일 광자 방출 전달 장치
7 7
제 5 항에 있어서,상기 광 운반수단은 광섬유인 단일 광자 방출 전달 장치
8 8
제 5 항에 있어서,상기 캐리어 수송층은 홀 수송층인 단일 광자 방출 전달 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 홀 수송층은 TFB층, TPD층, PVK층, p-TPD층, 무기물 p형 산화물층 및 무기물 p형 반도체층 중 어느 하나인 단일 광자 방출 전달 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 무기물 p형 산화물층은 NiO층인 단일 광자 방출 전달 장치
11 11
제 9 항에 있어서,상기 무기물 p형 반도체층은 CuS층 또는 ZnTe층인 단일 광자 방출 전달 장치
12 12
전도성 기판 상에 캐리어 수송층을 형성하는 단계상기 캐리어 수송층 상에 단일 광자를 방출하는 적어도 하나의 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 단일 광자 소자의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 캐리어 수송층은 홀 수송층인 단일 광자 소자의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 홀 수송층은 TFB층, TPD층, PVK층, p-TPD층, 무기물 p형 산화물층 및 무기물 p형 반도체층 중 어느 하나인 단일 광자 소자의 제조방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 캐리어 수송층 상에 상기 적어도 하나의 양자점을 포함하는 양자점막을 형성하는 단일 광자 소자의 제조방법
16 16
전도성 기판과 적어도 하나의 양자점을 포함하는 단일 광자 소자의 동작 방법에 있어서,상기 전도성 기판과 상기 양자점 사이에 캐리어 수송층을 포함하고,상기 양자점에 단일 전하를 주입하고,상기 캐리어 수송층을 통해서 상기 양자점에 홀을 주입하는 단일 광자 소자의 동작방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 양자점 위에 STM 팁을 구비하고,상기 STM 팁과 상기 기판 사이에 전압을 인가하여 상기 양자점에 단일 전하 및 홀을 주입하는 단일 광자 소자의 동작방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 캐리어 수송층은 TFB층, TPD층, PVK층, p-TPD층, 무기물 p형 산화물층 및 무기물 p형 반도체층 중 어느 하나인 단일 광자 소자의 동작방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 적어도 하나의 양자점은 상기 캐리어 수송층 상에 형성된 양자점막인 단일 광자 소자의 동작방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09595569 US 미국 FAMILY
2 US20140374699 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014374699 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9595569 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.