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표면에 광전도성 재료층(photoconductive material layer) 및 산화물층을 순차로 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 산화물층 상의 패턴을 형성하고자 하는 영역에 전해액을 접촉시키는 단계;상기 기판 및 상기 전해액을 각각 전원에 연결된 제 1 전극 및 제 2 전극과 연결시키는 단계; 및 상기 전해액에 선택적으로 광원을 조사하고 상기 제1 전극 또는 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 기판의 산화물층 상에 패턴을 직접 형성하는 단계;를 포함하는 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 광전도성 재료층은 p형 또는 n형의 제 1 광전도성 재료층 및 i형(intrinsic-type)인 제 2 광전도성 재료층을 포함하는 패턴의 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 광전도성 재료층은 n형 또는 p형의 제3 광전도성 재료층을 더 포함하는 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 광전도성 재료층은 결정질 실리콘(crystalline silicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 수소화된 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H), 비정질 게르마늄(amorphous germanium), 수소화된 비정질 게르마늄/실리콘(a-Ge:H/a-Si-H), 비정질 셀레늄(a-Se), 비정질 갈륨(a-Ga), 비정질 적철석(hematite), 및 비정질 티타늄 산화물로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 광전도성 재료층의 두께는 200nm 내지 900nm인 패턴의 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제 1 광전도성 재료층의 두께는 10nm 내지 30nm인 패턴의 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제 2 광전도성 재료층의 두께는 200nm 내지 700nm인 패턴의 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 제 3 광전도성 재료층의 두께는 50nm 내지 150nm인 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 전도성 기판인 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 금속, 결정질 실리콘, 또는 ITO(Indium Tin oxide)를 포함하는 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 두께는 100nm 내지 500nm인 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물층은 자연 산화물층(native oxide layer), SiO2층, Si3N4층, 또는 HfO2층을 포함하는 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 전해액은 Pt 전구체, MoOySz(여기서, 0≤ y ≤1, 1
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제1항에 있어서, 상기 전해액의 pH는 4 내지 7인 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저, DMD(Digital Micromirror Device), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), LED(Light-Emitting Diode), 및 OLED(Organic Light-Emitting Diode로 선택된 1종인 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 인가된 전압의 범위는 Ag/AgCl 전극 대비 -0
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