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신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015136743
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 탄성 기재; 상기 탄성 기재에 인접하여 형성된 제1 패턴화된 고분자 층; 상기 패턴화된 고분자 층에 인접하여 형성된 전자 소자; 상기 메모리소자에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 메모리소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 것인, 신축성 및 연성 전자 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H05K 3/30 (2006.01) H05K 1/18 (2006.01) |
| CPC | H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) H01L 23/4985(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140023731 (2014.02.27) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2015-0101882 (2015.09.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.11.25) |
| 심사청구항수 | 53 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 기초과학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김대형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 현택환 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 3 | 손동희 | 대한민국 | 인천광역시 남동구 |
| 4 | 이종하 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한상수 | 대한민국 | 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 기초과학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0197983-95 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.03.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0044800-09 |
| 3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0364060-42 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2014.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0487095-35 |
| 5 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5008847-80 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.04.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0346712-25 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 9 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2015.07.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0650673-30 |
| 10 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.10.13 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2015-0987503-02 |
| 11 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0985489-03 |
| 12 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.10.13 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2015-0985470-36 |
| 13 | 보정요구서 Request for Amendment |
2015.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0161321-31 |
| 14 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2015.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0165962-70 |
| 15 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2015.11.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0173511-35 |
| 16 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.11.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1148686-60 |
| 17 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2015.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0189589-04 |
| 18 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0779721-51 |
| 19 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1278925-83 |
| 20 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.01.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0103420-91 |
| 21 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0103555-45 |
| 22 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0446554-46 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5013866-16 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 탄성 기재;상기 탄성 기재에 인접하여 형성된 제1 패턴화된 고분자 층;상기 제1 패턴화된 고분자 층에 인접하여 형성된 전자 소자;상기 전자 소자에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 고분자 층을 포함하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 전자 소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극인 것이고,상기 전자 소자는 메모리 소자이고,상기 전자 소자는 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자층에 의해 캡슐레이션된 것을 특징으로 하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층, 상기 제2 패턴화된 고분자 층 및 상기 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극이 구불구불한 형태(serpentine)로 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 탄성 기재는 폴리디메틸실록산 또는 폴리(글리세롤 세바케이트)인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 또는 상기 제2 패턴화된 고분자 층이 폴리이미드, 벤조사이클로부텐 및 SU-8으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제1항에 있어서, 상기 전자 소자는 능동 메모리 소자 또는 수동 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 6 |
6 제5항에 있어서, 상기 능동 메모리 소자는 디램, 플래시 메모리 및 스핀-토크-전달 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 7 |
7 제5항에 있어서, 상기 수동 메모리 소자는 저항 램, 상변화 램 및 강유전체 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 8 |
8 제1항에 있어서, 상기 전자 소자는 비휘발성 저항 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 9 |
9 제8항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,제1 패턴화된 전극;상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층;상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층;상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 전극을 포함하는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 10 |
10 제9항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극 및 상기 제2 패턴화된 전극이 구불구불(serpentine)하게 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 11 |
11 제9항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 12 |
12 제9항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 13 |
13 제9항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 14 |
14 제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 15 |
15 제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 크기는 2 nm 내지 100 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 16 |
16 제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층이, 나노입자들의 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 17 |
17 제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 18 |
18 제9항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 3층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 19 |
19 제9항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 20 |
20 제9항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 21 |
21 제9항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 |
| 22 |
22 (i) 폴리(메틸 메타크릴레이트)와 제1 고분자를 실리콘 기판에 차례로 코팅하고 경화하여 폴리(메틸 메타크릴레이트) 층 및 제1 고분자 층을 형성하는 단계;(ii) 상기 제1 고분자 층을 패턴화하여 제1 패턴화된 고분자 층을 형성하는 단계;(iii) 상기 제1 패턴화된 고분자 층에 인접하여 전자 소자를 제작하는 단계;(iv) 상기 전자 소자에 인접하여 제2 패턴화된 고분자 층을 형성하는 단계;(v) 상기 실리콘 기판 및 상기 폴리(메틸 메타크릴레이트)를 제거하여 상기 제1 패턴화된 고분자 층과 상기 제2 패턴화된 고분자 층으로 캡슐레이션된 소자를 얻는 단계; 및(vi) 상기 캡슐레이션된 소자를 탄성 기재에 부착하는 단계를 포함하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자 층에 인접한 상기 전자 소자의 제1 전극 및 제2 전극 각각이 패턴화된 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극인 것이고,상기 전자 소자는 메모리 소자이고,상기 전자 소자는 상기 제1 패턴화된 고분자 층 및 제2 패턴화된 고분자층에 의해 캡슐레이션된 것을 특징으로 하고,상기 제1 패턴화된 고분자 층, 상기 제2 패턴화된 고분자 층 및 상기 제1 패턴화된 전극 및 제2 패턴화된 전극이 구불구불한 형태(serpentine)로 패턴화된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 23 |
23 제22항에 있어서, 상기 탄성 기재는 폴리디메틸실록산 또는 폴리(글리세롤 세바케이트)인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 24 |
24 제22항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 고분자 층 또는 상기 제2 패턴화된 고분자 층이 폴리이미드, 벤조사이클로부텐 및 SU-8으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 제22항에 있어서, 상기 전자 소자는 능동 메모리 소자 또는 수동 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 27 |
27 제26항에 있어서, 상기 능동 메모리 소자는 디램, 플래시 메모리 및 스핀-토크-전달 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 28 |
28 제26항에 있어서, 상기 수동 메모리 소자는 저항 램, 상변화 램 및 강유전체 램으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 29 |
29 제22항에 있어서, 상기 전자 소자는 비휘발성 저항 메모리 소자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 30 |
30 제29항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,제1 패턴화된 전극;상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층;상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층;상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 제2 패턴화된 전극을 포함하는 것임을 특징으로 하는, 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 31 |
31 제30항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 32 |
32 제30항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 33 |
33 제30항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 34 |
34 제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 35 |
35 제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 크기는 2 nm 내지 100 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 36 |
36 제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층이, 나노입자들의 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 37 |
37 제30항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 38 |
38 제30항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 39 |
39 제30항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 40 |
40 제30항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 41 |
41 제30항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 메모리 소자는,(a) 상기 제1 패턴화된 고분자 층 상에 제1 패턴화된 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극에 인접하여 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 금속 나노입자 층을 형성하는 단계;(d) 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 제2 패턴화된 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 42 |
42 제41항에 있어서, 상기 (a)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 43 |
43 제41항에 있어서, 상기 제1 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 44 |
44 제41항에 있어서, 상기 (b)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 45 |
45 제41항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 46 |
46 제41항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 47 |
47 제41항에 있어서, 상기 (c)단계가 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 48 |
48 제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자가 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 49 |
49 제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 50 |
50 제41항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층의 개수가 3층인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 51 |
51 제41항에 있어서, 상기 (d)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 52 |
52 제41항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 53 |
53 제41항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
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54 제41항에 있어서, 상기 (e)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
| 55 |
55 제41항에 있어서, 상기 제2 패턴화된 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 신축성 및 연성 전자 소자 제조 방법 |
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| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2015130116 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2015130116 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
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| 2 | 보정요구서 | 2014.03.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0044800-09 |
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| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2014.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0487095-35 |
| 5 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5008847-80 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.04.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0346712-25 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
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| 16 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.11.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1148686-60 |
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| 18 | 의견제출통지서 | 2016.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0779721-51 |
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