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기판이 장착되는 내부 공간이 형성된 진공 챔버;상기 챔버의 상부에 위치되어 상기 챔버의 내부 공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나;상기 챔버의 하부에 배치되며 하나 이상의 전자석 코일을 포함하는 제1 자장 발생부 및 상기 챔버의 측면에 배치되는 하나 이상의 전자석 코일을 포함하는 제2 자장 발생부를 포함하는 자장 발생부; 및상기 챔버 내부에 장착된 상기 기판의 중심을 기준으로 상기 챔버 내의 유효 플라즈마 공간 상에서, 수평 공간 상의 외측 방향으로 갈수록 자기장의 세기를 지속적으로 증가시키고, 수직 공간 상의 상측 방향으로 갈수록 자기장의 세기를 증가시키도록 상기 자장 발생부의 상기 각각의 전자석 코일에 입력되는 전류를 제어하되, 상기 챔버 내의 유효 플라즈마 공간 상의 기판 중심에서 기설정된 자기장 세기가 발생되도록 상기 각각의 전자석 코일에 입력되는 전류를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 자장 발생부의 코일 중 적어도 하나 이상의 코일에 입력되는 전류를 상기 제2 자장 발생부의 코일에 입력되는 전류와는 상반된 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 자장 발생부는,상기 챔버의 하단에 배치된 복수개의 전자석 코일을 포함하며,상기 각각의 전자석 코일은 상기 챔버 내부에 장착되는 기판의 하단 외측에서 서로 이격되어 순차적으로 더 큰 반경을 갖도록 설치되며,상기 제어부는, 상기 제1 자장 발생부에 포함된 복수개의 코일 중 선택된 하나 이상의 코일에 입력되는 전류를 나머지 코일에 입력되는 전류와 상반된 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 자장 발생부는,상기 챔버의 하단에 배치된 복수개의 전자석 코일을 포함하며,상기 각각의 전자석 코일은 상기 챔버 내부에 장착되는 기판의 하단 외측에서 서로 이격되어 순차적으로 더 큰 반경을 갖도록 설치되며,상기 제2 자장 발생부는,상기 챔버의 수직 방향으로 서로 이격되어 상기 챔버의 측면 둘레를 둘러싸도록 배치된 복수개의 전자석 코일을 포함하며,상기 제어부는, 상기 제1 자장 발생부에 포함된 복수개의 전자석 코일 중 선택된 하나 이상의 전자석 코일에 입력되는 전류를 상기 제2 자장 발생부의 전자석 코일에 입력되는 전류와 상반된 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 챔버의 상부에 배치되며 하나 이상의 전자석 코일을 포함하는 제3 자장 발생부를 더 포함하며,상기 제어부는 상기 제3 자장 발생부의 전자석 코일에 입력되는 전류를 상기 제2 자장 발생부의 전자석 코일에 입력되는 전류와 동일 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 자장 발생부의 복수개의 전자석 코일은,상기 챔버의 상단부에 구비된 RF 윈도우(RF window)의 외측으로부터 상기 챔버 하부면의 수평 공간까지의 범위 내에서 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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