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n종(n은 2 이상의 자연수)의 금속 원소들을 포함하는 벌크 금속산화물층; 및 상기 벌크 금속산화물층의 금속 원소들과 동종인 n종의 금속 원소들을 포함하는 표면 금속산화물층을 포함하고,상기 표면 금속산화물층에 포함된 금속 원소(M)의 환원도([Mq+/Mp+]surface, p, q는 각각 p 003e# q인 0 이상의 정수)는 상기 벌크 금속산화물층에 포함된 대응 금속 원소(M)의 환원도([Mq+/Mp+]bulk, p, q는 각각 p 003e# q인 0 이상의 정수) 보다 높은 표면처리 전극 활물질
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제1항에 있어서,상기 금속 원소(M)는 Mn인 표면처리 전극 활물질
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제2항에 있어서,M=Mn, p=4, q=3인 경우, 상기 [Mq+/Mp+]bulk는 0~0
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제1항에 있어서,상기 표면처리 전극 활물질은 리튬 이차 전지용 캐소드 활물질인 표면처리 전극 활물질
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전극 활물질의 표면처리방법으로서,상기 전극 활물질의 표면처리방법은 (a) 금속산화물을 포함하는 미처리 전극 활물질, 및 (b) 염기성 물질과 환원성 물질 중 적어도 하나의 물질을 용매에 첨가하여 혼합액을 형성하는 단계; 및 상기 혼합액을 교반시키는 단계를 포함함으로써 표면처리 전극 활물질을 생성하고,상기 표면처리 전극 활물질은 n종(n은 2 이상의 자연수)의 금속 원소들을 포함하는 벌크 금속산화물층; 및 상기 벌크 금속산화물층의 금속 원소들과 동종인 n종의 금속 원소들을 포함하는 표면 금속산화물층을 포함하고,상기 표면 금속산화물층에 포함된 금속 원소(M)의 환원도([Mq+/Mp+]surface, p, q는 각각 p 003e# q인 0 이상의 정수)는 상기 벌크 금속산화물층에 포함된 대응 금속 원소(M)의 환원도([Mq+/Mp+]bulk, p, q는 각각 p 003e# q인 0 이상의 정수) 보다 높은 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 염기성 물질이 포함되지 않은 경우 상기 교반 단계후 상기 혼합액의 pH는 2~6(산성)이거나 7~10(염기성)인 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 염기성 물질 및 상기 환원성 물질이 모두 포함된 경우 상기 교반 단계후 상기 혼합액의 pH는 8~14인 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 환원성 물질이 포함되지 않은 경우 상기 교반 단계후 상기 혼합액의 pH는 8~14인 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 금속산화물은 Mn을 포함하는 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 염기성 물질은 KOH, LiOH, NaOH, Mg(OH)2, 피리딘, 암모니아, 아세틸아세톤 및 Ba(OH)2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 환원성 물질은 나트륨 아말감, 설파이트 화합물, 히드라진, 아이언(II) 설페이트, 린들러 촉매(Lindlar catalyst), LiAlH4, 수소, 아스코르브산, 옥살산, 포름산, NaBH4, 틴 클로라이드(tin chloride) 및 아인산(phosphorous acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 전극 활물질의 표면처리 방법
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제5항에 있어서,상기 교반 단계후 상기 혼합액을 여과하여 고형물을 얻는 단계, 상기 고형물을 세정하는 단계 및 상기 세정된 고형물을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 전극 활물질의 표면처리 방법
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제12항에 있어서,상기 건조 단계는 20~80℃의 온도 및 대기압 미만의 압력에서 진행되는 전극 활물질의 표면처리 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 표면처리 전극 활물질을 포함하는 전극
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제14항에 따른 전극을 포함하는 리튬 이차 전지
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제15항에 있어서,상기 전극은 캐소드인 리튬 이차 전지
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