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미세 다공성 지지체;상기 미세 다공성 지지체 상에 형성되는 활성화층;상기 활성화층 상에 형성되는 이온성 고분자층; 및상기 이온성 고분자층 상에 형성되고, 광촉매 나노 입자를 포함하는 코팅층을 포함하고,상기 이온성 고분자층은 양이온 고분자막과 음이온 고분자막이 순차적으로 적층된 구조이고,상기 양이온 고분자막은 폴리알릴아민염소산(poly allylamine hydrochloride, PAH), 폴리디아릴디메틸암모늄클로라이드(poly(diallyldimethylammonium chloride), PDDA), 폴리에틸렌이민(poly(ethylenimine), PEI )로 이루어진 군으로부터 적어도 1종을 포함하고,상기 음이온 고분자막은 폴리소듐스티렌설포네이트(poly(sodium styrenesulfonate), PSS), 폴리메타크릴산 ((poly(methacrylic acid), PMAA), 폴리아크릴산(poly(acrylic acid), PAA) 로 이루어진 군으로부터 적어도 1종을 포함하는 것인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제1항에 있어서,상기 미세 다공성 지지체는 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리메틸클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제1항에 있어서,상기 활성화층은 폴리아미드, 치환성 폴리아미드, 폴리피페라진, 치환성 폴리피페라진, 폴리페닐렌 디아민, 치환성 폴리페닐렌 디아민, 폴리클로로 페닐렌 디아민, 치환성 폴리클로로 페닐렌 디아민, 폴리벤지딘, 치환성 폴리벤지딘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제1항에 있어서, 상기 코팅층의 광촉매 나노입자는 이산화티탄, 은, 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자층의 두께는 1nm 내지 10nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제8항에 있어서, 상기 이온성 고분자층의 두께는 2nm 내지 8nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제9항에 있어서, 상기 이온성 고분자층의 두께는 3nm 내지 6nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제1항에 있어서, 상기 코팅층의 두께는 1nm 내지 10nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제11항에 있어서, 상기 코팅층의 두께는 2nm 내지 8nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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제12항에 있어서, 상기 코팅층의 두께는 4nm 내지 5nm인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막
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(a) 미세 다공성 지지체를 준비하는 단계;(b) 상기 미세 다공성 지지체 상에 활성화층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성화층 상에 이온성 고분자층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 이온성 고분층 상에 광촉매 나노입자를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (c) 단계는,(c-1) 상기 활성화층을 농도가 0
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제14항에 있어서,상기 미세 다공성 지지체는 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리메틸클로라이드 및 폴리비닐리덴 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 역삼투 분리막 제조방법
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제14항에 있어서,상기 활성화층은 폴리아미드막을 포함하는 것인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막 제조방법
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제14항에 있어서,상기 (c-1) 단계 전에 상기 활성화층의 표면을 음이온 처리하는 단계를 더 포함하는 것인 내오염성이 우수한 역삼투 분리막 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 (c-3) 단계에서, 상기 음이온을 갖는 고분자 전해질 수용액의 농도는 0
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