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이온 전도성 고분자로 형성된 지지층;상기 지지층의 상부에 형성되며, 이온 전도성 고분자로 형성된 코팅층; 및상기 지지층과 상기 코팅층의 사이에 층을 이루고 있는 다수의 미세 다공성 층상 실리케이트 입자;를 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자의 기공의 크기는 1 내지 20 Å인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자는 AMH-3 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자는 내부에 존재하는 양이온이 제거되고, 층분리가 된 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제4항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자의 양이온 제거 및 층분리는 산-열수 처리에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자의 두께는 50 nm 내지 15 ㎛인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 이온 전도성 고분자는 퍼플루오르술폰산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤 및 폴리술폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물로서 내산성과 이온 전도성이 있는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막
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(S1) 미세 다공성 층상 실리케이트 입자를 제조하는 단계;(S2) 상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자 내부에 존재하는 양이온을 제거하고, 상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자를 층분리하는 단계; 및(S3) 상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자를 이용하여, 이온 전도성 고분자로 형성된 지지층과 이온 전도성 고분자로 형성된 코팅층의 사이에 층을 형성하는 단계;를 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (S1) 단계는, 160 ℃ 내지 220 ℃의 온도에서, 1 내지 3일 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (S2) 단계는, 산-열수 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 산-열수 처리는, 0
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제8항에 있어서,상기 (S3) 단계는, 상기 지지층의 상부면에, 이온 전도성 고분자 및 미세 다공성 층상 실리케이트 입자를 포함하는 용액을 캐스팅하여, 상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자를 침전시키고, 상기 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자의 기공의 크기는 1 내지 20 Å인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자는 AMH-3 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 미세 다공성 층상 실리케이트 입자의 두께는 50 nm 내지 15 ㎛인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 이온 전도성 고분자는 퍼플루오르술폰산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤 및 폴리술폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물로서 내산성과 이온 전도성이 있는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막의 제조방법
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양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극의 사이에 개재되는 이온교환막을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지에 있어서,상기 이온교환막은, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 바나듐 레독스 흐름 전지용 이온교환막인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지
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