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하기 화학식 9 내지 12 중 어느 하나의 구조식을 가지며:[화학식 9][화학식 10][화학식 11][화학식 12]상기 화학식 9 내지 12에서, n', n1', n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며, 상기 R은 시클로헥실기이고;상기 POSS는 하기 화학식의 구조를 가지고, 하기 * 부위에서 상기 화학식 9 내지 12의 [ ]로 표현된 부분과 연결되며, 상기 m은 8인 것을 특징으로 하는 스타형 고분자:[화학식 2]
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제6항에 있어서, 상기 고분자가 상기 화학식 9의 구조를 가지는 경우에는 상기 고분자의 수평균 분자량이 10,000-500,000이고,상기 고분자가 상기 화학식 10을 가지는 경우에는 수평균 분자량이 10,000-500,000이고, 상기 고분자 내 MMA와 PEGMA의 몰비가 1:99 내지 99:1이며,상기 고분자가 상기 화학식 11의 구조를 가지는 경우에는 수평균 분자량이 10,000-500,000이고, 상기 고분자 내 POSSMA와 PEGMA의 몰비가 1:99 내지 99:1이며,상기 고분자가 상기 화학식 12의 구조를 가지는 경우에는 수평균 분자량이 10,000-500,000이고, 상기 고분자 내 MMA와 PEGMA의 몰비 가 1:99 내지 99:1이고,상기 MMA는 메틸메타크릴레이트를 의미하고, 상기 PEGMA는 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 의미하며, 상기 POSSMA는 폴리헤드랄 올리고메릭 실세스퀴옥세인 메타크릴레이트를 의미하는 것을 특징으로 하는 스타형 고분자
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제7항에 있어서, 상기 고분자가 상기 화학식 9의 구조를 가지는 경우에는 상기 고분자의 수평균 분자량이 200,000-300,000이고,상기 고분자가 상기 화학식 10을 가지는 경우에는 수평균 분자량이 10,000-100,000이고, 상기 고분자 내 MMA와 PEGMA의 몰비가 50:50 내지 99:1이며,상기 고분자가 상기 화학식 11의 구조를 가지는 경우에는 수평균 분자량이 50,000-500,000이고, 상기 고분자 내 POSSMA와 PEGMA의 몰비가 1:99 내지 50:50이며,상기 고분자가 상기 화학식 12의 구조를 가지는 경우에는 수평균 분자량이 100,000-200,000고, 상기 고분자 내 MMA와 PEGMA의 몰비가 50:50 내지 1:99이고,상기 MMA는 메틸메타크릴레이트를 의미하고, 상기 PEGMA는 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트를 의미하며, 상기 POSSMA는 폴리헤드랄 올리고메릭 실세스퀴옥세인 메타크릴레이트를 의미하는 것을 특징으로 하는 스타형 고분자
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제8항에 있어서, 상기 고분자 내 PEGMA의 수평균 분자량이 100-5,000인 것을 특징으로 하는 스타형 고분자
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하기 화학식의 구조를 가지며,[화학식 13]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며,상기 POSS는 하기 화학식의 구조를 가지고, 하기 * 부위에서 상기 화학식 13의 [ ]로 표현된 부분과 연결되며, 상기 m은 8인 것을 특징으로 하는 스타 형 고분자:[화학식 2]
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하기 화학식과 같이 블록 공중합체의 구조를 가지며,[화학식 14]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며,상기 POSS는 하기 화학식의 구조를 가지고, 하기 * 부위에서 상기 화학식 14의 [ ]로 표현된 부분과 연결되며, 상기 m은 8인 것을 특징으로 하는 스타 형 고분자:[화학식 2]
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제6항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 스타형 고분자를 포함하는 고분자 전해질 막
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제13항에 따른 고분자 전해질 막을 포함하는 이차전지
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제6항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 스타형 고분자를 포함하는 미생물 부착 방지용 코팅 조성물
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제6항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 스타형 고분자를 포함하는 수처리 막
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하기 단계를 포함하는 스타형 고분자 제조방법으로서:(a) 옥타키스(2-브로모-2-메틸프로피온옥시프로필다이메틸실록시)옥타실세스퀴옥세인을 제조하는 단계,(b) 상기 옥타키스(2-브로모-2-메틸프로피온옥시프로필다이메틸실록시)옥타실세스퀴옥세인을 개시제로 사용하여 하기 화학식 9 내지 12의 스타형 고분자를 중합하는 단계:[화학식 9]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며;[화학식 10]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며;[화학식 11]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고, m'은 1-24의 정수이며;[화학식 12]상기 식에서 n1'과 n2'는 각각 독립적으로 1-500의 정수이고 , m'은 1-24의 정수이며;상기 화학식 9 내지 12에서 m은 이론적 최대 연결수로서 8이고, 반응에 의해서 실제 연결된 평균 연결수 mavg는 3-8이며;R은 시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 스타형 고분자 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 (a)단계는(a-1) 옥타키스(3-하이드록시프로필다이메틸실록시)옥타실세스퀴옥세인을 제조하는 단계,(a-2) 옥타키스(2-브로모-2-메틸프로피온옥시프로필다이메틸실록시)옥타실세스퀴옥세인을 제조하는 단계를 거쳐 수행되는 것을 특징으로 하는 스타형 고분자 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 (b)단계는 아톰 트랜스퍼 라디칼 중합법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 스타형 고분자 제조방법
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