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하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 블록 공중합체와, 하기 화학식 5 내지 10로 표시되는 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 옥사진계 모노머를 포함하는 고분자 조성물:[화학식 3]상기 화학식 3중, Ar1는 C6-C20 아릴렌기이고,R1은 수소, 비치환된 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환된 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환된 또는 치환된 C6-C20 아릴기, 비치환된 또는 치환된 C6-C20 아릴옥시기, 비치환된 또는 치환된 C3-C20 헤테로아릴기, 또는 비치환된 또는 치환된 C3-C20 헤테로아릴옥시기이고, R2 및 R3은 서로에 관계없이 수소, 비치환된 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환된 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환된 또는 치환된 C6-C20 아릴기, 비치환된 또는 치환된 C6-C20 아릴옥시기, 비치환된 또는 치환된 C3-C20 헤테로아릴기, 또는 비치환된 또는 치환된 C3-C20 헤테로아릴옥시기이거나, 서로 연결되어 C4-C20 탄소고리기 또는 C3-C20 헤테로고리를 형성하고, m1은 0
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2
제1항에 있어서, 상기 옥사진계 모노머의 함량이, 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 블록 공중합체 100 중량부를 기준으로 하여 10 내지 1000 중량부인 고분자 조성물
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3
제1항에 있어서, 상기 화학식 3의 Ar1 및 화학식 4의 Ar2는 하기 화학식 2A로 표시되는 그룹중에서 선택된 하나 이상인 고분자 조성물
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4
삭제
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5
제1항에 있어서, 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 블록 공중합체의 중합도가 1 내지 900인 고분자 조성물
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6
제1항에 있어서, 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 블록 공중합체는,하기 화학식 11로 표시되는 화합물인 고분자 조성물:[화학식 11]상기식중, m3은 0
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7
삭제
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8
제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 또는 제6항의 고분자 조성물의 가교 반응을 통하여 얻어진 가교체인 고분자 가교체
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9
제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 또는 제6항의 고분자 조성물을 포함하는 연료전지용 전해질막
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10
제8항의 고분자 가교체를 포함하는 연료전지용 전해질막
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11
제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 또는 제6항의 고분자 조성물을 포함하는 연료전지용 전극
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12
제8항의 고분자 가교체를 포함하는 연료전지용 전극
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캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며,상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이 제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 또는 제6항에 따른 고분자 조성물을 포함하는 연료전지
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14
캐소드, 애노드 및 이들 사이에 개재된 전해질막을 포함하며,상기 캐소드, 애노드 및 전해질막 중에서 선택된 하나 이상이 제8항의 고분자 가교체를 포함하는 연료전지
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제1항에 있어서, 상기 옥사진계 모노머가 하기 화학식 21로 표시되는 화합물인 고분자 조성물
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16
제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체가 하기 화학식 11로 표시되는 고분자이며, 상기 옥사진계 모노머가 하기 화학식 21의 화합물인 고분자 조성물:[화학식 11]상기 화학식 11 중, m3은 2이고, n3은 8이고, k3는 화학식 11로 표시되는 고분자의 수평균 분자량이 15만이 되도록 선택된다
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