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동작 선택 신호에 따라 센서에서 출력되는 센서 신호 또는 기준 신호 생성 소자에서 출력되는 기준 신호를 선택하여 출력하는 신호 입력부;상기 신호 입력부에서 출력된 신호를 증폭하여 출력하는 증폭부; 및상기 증폭부의 출력 신호를 샘플하여 출력하는 신호 출력부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 신호 입력부는 상기 동작 선택 신호에 따라 상기 센서 또는 상기 기준 신호 생성 소자를 상기 신호 입력부의 출력단에 연결하는 스위치를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 증폭부는 커패시터를 포함하는 적분 증폭기인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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청구항 3에 있어서, 상기 커패시터는 상기 동작 선택 신호에 따라 용량이 가변되고 상기 증폭부는 상기 동작 선택 신호에 따라 증폭 시간이 가변되는 반도체 장치
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5
청구항 3에 있어서, 리셋 신호에 따라 상기 커패시터를 방전하는 스위치를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 신호 출력부는 상기 센서 신호에 대응하여 상기 증폭부에서 출력된 신호를 샘플한 제 1 신호와 및 상기 기준 신호에 대응하여 상기 증폭부에서 출력된 신호를 샘플한 제 2 신호를 출력하는 샘플홀드 회로를 포함하는 반도체 장치
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7
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 신호와 상기 제 2 신호의 차이에 대응하는 디지털 신호를 생성하는 A/D 변환부를 더 포함하는 반도체 장치
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8
청구항 1에 있어서, 상기 동작 선택 신호에 따라 상이한 캘리브레이션 신호를 상기 신호 입력부의 출력 신호에 부가하는 캘리브레이션부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 캘리브레이션부는 상기 동작 선택 신호에 따라 제 1 캘리브레이션 코드 또는 제 2 캘리브레이션 코드를 선택하여 출력하는 스위치; 상기 스위치의 출력으로부터 캘리브레이션 전압을 출력하는 DA 변환부; 및 상기 캘리브레이션 전압에 따라 상기 캘리브레이션 신호를 생성하는 신호 생성 소자를 포함하는 반도체 장치
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10
청구항 1에 있어서, 상기 증폭부의 증폭 동작 전에 상기 증폭부의 입력단을 기준 전압으로 프리차지 하는 프리차지부를 더 포함하는 반도체 장치
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11
청구항 1에 있어서, 상기 센서는 가변 저항 소자, 가변 커패시터 소자 또는 가변 임피던스 소자를 포함하는 반도체 장치
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12
센서를 증폭부의 입력단에 연결하여 인가된 신호를 증폭하여 제 1 신호를 출력하는 제 1 단계;기준 신호 생성 소자를 상기 증폭부의 입력단에 연결하여 인가된 신호를 증폭하여 제 2 신호를 출력하는 제 2 단계; 및상기 제 1 신호와 상기 제 2 신호를 이용하여 상기 센서의 신호를 결정하는 제 3 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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13
청구항 12에 있어서, 상기 제 2 단계에서의 증폭 시간과 상기 제 1 단계에서의 증폭 시간은 상이하게 설정되는 반도체 장치의 동작 방법
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14
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 단계는 제 1 캘리브레이션 신호를 상기 증폭부의 입력단에 추가로 인가하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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15
청구항 12에 있어서, 상기 제 2 단계는 제 2 캘리브레이션 신호를 상기 증폭부의 입력단에 추가로 인가하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 제 1 신호와 상기 제 2 신호의 차이에 따라 상기 센서의 신호를 결정하는 반도체 장치의 동작 방법
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