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비자기성 이온(non-magnetic ion)과 알칼리토금속 이온 중 적어도 하나의 이온;상호작용하는 자성 이온들(magnetic ions); 및상온에서 저항값과 자성 정렬 정도를 높이기 위한 것으로서, 망간, 니켈 및 구리 중에서 선택된 향상 이온을 포함하며,상기 자성 이온들 사이에 상기 비자기성 이온을 위치시키고 상기 비자기성 이온의 크기를 조절하여 상기 자성 이온들 간 거리를 제어하거나, 상기 자성 이온들 중 일부 이온을 상기 알칼리토금속 이온으로 치환시켜 상기 자성 이온들 간 거리를 제어하여, 상온에서 전기장으로 자기적 성질을 제어하는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 Y 타입 또는 Z 타입의 헥사페라이트 물질인 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 자성 이온들로 철 이온들을 포함하고, 상기 비자기성 이온은 상기 철 이온들 중 일부로부터 치환된 이온인 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 5 항에 있어서,상기 비자기성 이온은 알루미늄 이온이나 갈륨 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 5 항에 있어서,상기 비자기성 이온으로의 치환율은 0% 초과 80% 이하인 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리토금속 이온으로 제1 알칼리토금속 이온만 포함하거나, 제2 알칼리토금속 이온만 포함하거나, 또는 상기 제1 알칼리토금속 이온과 상기 제2 알칼리토금속 이온을 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 8 항에 있어서,상기 제1 알칼리토금속 이온과 상기 제2 알칼리토금속 이온을 모두 포함할 때 상기 제2 알칼리토금속 이온은 상기 제1 알칼리토 금속 이온 중 일부로부터 치환된 이온인 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 8 항에 있어서,상기 제1 알칼리토금속 이온은 바륨 이온을 포함하고, 상기 제2 알칼리토금속 이온은 스트론튬 이온, 칼슘 이온, 스칸듐 이온, 이트륨 이온 및 이트륨족 이온들 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 전기장 인가로 자기장을 생성하는 자석, 메모리 소자 및 마이크로파 제어 소자 중 어느 하나를 제조할 때 이용되는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 상기 알칼리토금속 이온으로 바륨 이온과 스트론튬 이온을 각각 포함하는 탄산 바륨과 탄산 스트론튬 중 적어도 하나, 상기 자성 이온들로 철 이온들을 포함하는 산화철, 상기 비자기성 이온으로 알루미늄 이온을 포함하는 산화알루미늄, 산화코발트 및 산화나트륨이 혼합되어 제조된 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 14 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 상기 탄산 바륨과 상기 탄산 스트론튬 중 적어도 하나, 상기 산화철, 상기 산화알루미늄, 상기 산화코발트 및 상기 산화나트륨이 각각 다음 수학식에 의한 몰 비율에 따라 혼합되어 제조된 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 14 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 상기 탄산 바륨과 상기 탄산 스트론튬 중 적어도 하나, 상기 산화철, 상기 산화알루미늄, 상기 산화코발트 및 상기 산화나트륨이 혼합되어 적어도 한번 열처리되고 서냉되어 결정으로 제조된 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 8 항에 있어서,상기 제1 알칼리토금속 이온으로 바륨 이온을 포함하고 상기 제2 알칼리토금속 이온으로 스트론튬 이온을 포함할 때 상기 바륨 이온과 상기 스트론튬 이온의 성분비는 다음 수학식을 따르는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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제 1 항에 있어서,상기 자기전기성 물질은 자기장으로 전기적 성질을 제어하는 것을 특징으로 하는 자기전기성 물질
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