| 1 |
1
제1물질을 포함하여 구성된 지지기판(supporting substrate);상기 지지기판 상에 배치되며 상기 제1물질과 제2물질을 포함하여 구성된 중간층(intermediate layer); 및상기 중간층 상에 배치되며 제3물질을 포함하여 구성된 에피층(epilayer);을 구비하고,상기 제2물질의 체적탄성계수는 상기 제1물질의 체적탄성계수 및 상기 제3물질의 체적탄성계수보다 더 작고, 상기 중간층의 전단탄성계수는 상기 지지기판의 전단탄성계수 및 상기 에피층의 전단탄성계수보다 더 작고,상기 제1물질은 사파이어(sapphire)를 포함하고, 상기 제2물질은 규소(Si)를 포함하고, 상기 제3물질은 질화갈륨(GaN)을 포함하고,상기 중간층은, 산화규소를 포함하는 임시층을 형성하고, 상기 산화규소의 규소를 상기 지지기판으로 확산시켜 형성한, 박막 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1물질과 상기 제3물질 사이의 격자 부정합(mismatch)에 기인하여 생성된 전위를 수용할 수 있도록, 상기 중간층은 상기 에피층보다 탄성적으로 더 연성(elastically softer)인, 박막 구조체
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1물질을 포함하여 구성된 지지기판;상기 지지기판 상에 배치되며, 상기 제1물질과 제2물질을 포함하여 구성된 컴플라이언트층(compliant layer); 및상기 컴플라이언트층 상에 배치되며, 제3물질을 포함하여 구성된 에피층;을 구비하고,상기 컴플라이언트층의 강성(elastic stiffness)은 상기 에피층의 강성보다 더 낮고,상기 제1물질은 사파이어(sapphire)를 포함하고, 상기 제2물질은 규소(Si)를 포함하고, 상기 제3물질은 질화갈륨(GaN)을 포함하고,상기 컴플라이언트층은, 산화규소를 포함하는 임시층을 형성하고, 상기 산화규소의 규소를 상기 지지기판으로 확산시켜 형성한, 박막 구조체
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 컴플라이언트층의 강성은 상기 지지기판의 강성보다 더 낮은 것을 특징으로 하는, 박막 구조체
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1항, 제2항, 제5항, 및 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 상기 박막 구조체를 이용한 전자기 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 전자기 소자는 박막 소자, 나노 소자, 반도체 소자, 메모리 소자, 분자 소자, 광소자, 광전 소자, 디스플레이 소자, 및 디지털 소자 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 전자기 소자
|
| 13 |
13
제1물질을 포함하여 구성된 지지기판을 제공하는 단계;상기 지지기판 상에 제2물질을 포함하여 구성된 임시층을 형성하는 단계; 및상기 임시층 상에 제3물질을 포함하여 구성된 에피층을 형성하는 단계;를 구비하고,상기 임시층 상에 제3물질을 포함하는 에피층을 형성하는 단계에서, 상기 임시층에서 기인하는 상기 제2물질이 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산됨으로써 상기 지지기판의 상부에 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함하여 구성된 중간층이 형성되며,상기 제2물질의 체적탄성계수(bulk modulus)는 상기 제1물질의 체적탄성계수및 상기 제3물질의 체적탄성계수보다 더 작으며, 상기 중간층의 전단탄성계수는 상기 지지기판의 전단탄성계수 및 상기 에피층의 전단탄성계수보다 더 작고,상기 제1물질은 사파이어(sapphire)를 포함하고, 상기 제2물질은 규소(Si)를 포함하고, 상기 제3물질은 질화갈륨(GaN)을 포함하고,상기 중간층은, 산화규소를 포함하는 임시층을 형성하고, 상기 산화규소의 규소를 상기 지지기판으로 확산시켜 형성한, 박막 구조체의 제조방법
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
사파이어를 포함하여 구성된 지지기판을 제공하는 단계;상기 지지기판 상에 규소를 포함하여 구성된 임시층을 형성하는 단계; 및상기 규소를 포함하여 구성된 임시층 상에 질화갈륨을 포함하여 구성된 에피층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 에피층을 형성하는 단계 동안, 상기 규소를 포함하여 구성된 임시층에서 기인하는 규소가 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산됨으로써 상기 지지기판의 상부에 규소가 확산된 층이 형성되고,상기 규소를 포함하여 구성된 임시층은 산화규소층인, 박막 구조체의 제조방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 질화갈륨은 우르차이트(wurtzite) 결정 구조를 가지는 질화갈륨을 포함하는, 박막 구조체의 제조방법
|
| 19 |
19
삭제
|
