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나노 구멍을 갖는 고분자 박막, 그의 몰드 및 그를 이용한 제조방법

  • 기술번호 : KST2015137469
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구멍을 갖는 고분자 박막, 그의 몰드 및 그를 이용한 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따른 고분자 박막의 제조를 위한 몰드는 베이스와, 상기 베이스 상에 구비되는 양각의 패턴들이 형성되는 제1 패턴부를 포함하는 제1 몰드; 및 상기 제1 몰드 방향의 일면에 상기 제1 패턴부의 형성 범위에 무관하게 양각의 패턴들이 형성되는 제3 패턴부를 포함하는 제2 몰드;를 포함한다. 본 발명에 따른 고분자 박막과 그 제조방법은 다차원 다층 구조로 높은 젖음성(wettability) 차이와 구조적 강화를 얻어내고, 이를 기반으로 나노 구멍이 있고 구조 조절이 가능하며, 유연하고 프리스탠딩한 고분자 박막을 쉽게 복제할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C08J 9/00 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) B29C 43/00 (2018.01.01) B29C 41/38 (2006.01.01)
CPC C08J 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140006196 (2014.01.17)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1666023-0000 (2016.10.07)
공개번호/일자 10-2015-0018347 (2015.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20161013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130094454   |   2013.08.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.17)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조혜성 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서갑양 대한민국 서울특별시 관악구
3 김준수 대한민국 서울특별시 금천구
4 방정원 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이정연 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(ALL바른특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0051424-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0057016-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0719833-36
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1230747-15
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315067-49
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0600807-91
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0600804-54
11 등록결정서
Decision to grant
2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0700916-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저면에 형성되는 복수의 제1 관통홀(through-hole);상면에 소정간격으로 형성되되 상기 복수의 제1 관통홀의 형성영역에 관련없이 독립적인 위치 및 관통 넓이를 갖는 복수의 제3 관통홀; 및상기 제1 관통홀의 주변 영역에 상기 제1 관통홀 측 두께에 비하여 두꺼운 두께를 갖도록 형성되어 별도의 지지구조 없이 그 자체로 독립적인 지지구조(free-standing)를 형성하는 지지영역;을 포함하는 고분자 박막
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 관통홀의 상면에 형성되는 복수의 제2 관통홀을 더 포함하는 고분자 박막
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서,상기 제2 관통홀은 상기 제1 관통홀의 횡단면상의 직경에 비하여 작은 횡단면상의 직경을 갖도록 형성되는 고분자 박막
5 5
제2항에 있어서,상기 제3 관통홀은 원형, 다각형 중 어느 하나의 횡단면 형상을 갖는 도트형 홈 또는 일정 길이를 갖는 라인형 홈 중 적어도 어느 하나의 홈으로 형성되는 고분자 박막
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 관통홀 및 상기 제2 관통홀은 마이크로 미터 단위의 횡단면상의 직경으로 형성되고, 상기 제3 관통홀은 도트형 홈인 경우의 횡단면 상의 직경과 라인형 홈인 경우의 횡단면 상의 폭이 나노 단위 크기로 형성되는 고분자 박막
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 관통홀의 크기는 5㎛ 이하이고, 상기 제1 관통홀이 형성된 부분의 두께는 10㎛ 미만이고, 상기 지지영역이 형성된 부분의 두께는 적어도 10㎛인 고분자 박막
8 8
베이스와, 상기 베이스 상에 구비되는 양각의 패턴들이 형성되는 제1 패턴부를 포함하는 제1 몰드; 및상기 제1 몰드와 마주하는 일면에 상기 제1 패턴부의 형성 범위에 무관하게 양각의 패턴들이 형성되는 제3 패턴부를 포함하는 제2 몰드;를 포함하는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 몰드는 상기 제1 패턴부 상에 양각으로 형성되는 제2 패턴부가 더 형성되는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
10 10
제9항에 있어서,상기 제3 패턴부에는 원형, 다각형 중 어느 하나의 횡단면 형상을 갖는 도트형 패턴 또는 일정 길이를 갖는 라인형 패턴 중 적어도 어느 하나의 패턴을 포함하는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 패턴부 및 상기 제2 패턴부에 형성되는 각 패턴의 횡단면 상의 직경은 마이크로 단위의 크기로 형성되는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
12 12
제11항에 있어서,상기 제3 패턴부에 형성되는 도트형 패턴의 횡단면 상의 직경과 라인형 패턴의 횡단면 상의 폭은 나노 단위 크기로 형성되는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
13 13
제9항에 있어서,상기 제1 몰드 및 상기 제2 몰드는 평판형으로 형성되는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
14 14
제9항에 있어서,상기 제1 몰드 및 상기 제2 몰드는 각각의 패턴이 외주면에 형성되는 롤형으로 형성되는 고분자 박막의 제조를 위한 몰드
15 15
청구항 제13항에 기재된 제1 몰드 및 제2 몰드 중 어느 하나의 몰드의 패턴이 형성된 면에 폴리머(polymer)를 도포하는 단계;상기 한 쌍의 몰드 중 적어도 어느 하나의 몰드를 타 몰드측으로 가압하는 단계;상기 폴리머를 경화시키는 단계; 및상기 한 쌍의 몰드를 상기 경화된 폴리머로부터 분리하는 단계;를 포함하는 고분자 박막 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 경화단계는 상기 제1 몰드에 형성된 양각의 패턴과 상기 제2 몰드에 형성된 양각 패턴이 접촉된 상태에서 상기 폴리머를 경화시키는 고분자 박막 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 폴리머는 광경화성 폴리머로 이루어지고,상기 경화 단계에서는 상기 폴리머에 광을 조사하여 경화시키는 고분자 박막 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 광은 자외선인 고분자 박막 제조방법
19 19
제15항에 있어서,상기 제1 몰드 및 제2 몰드는 친수성(hydrophile property) 재료로 형성되고, 상기 폴리머는 소수성(hydrophobic property) 재료로 형성되는 고분자 박막 제조방법
20 20
제15항에 있어서,상기 제1 몰드 및 제2 몰드는 소수성(hydrophobic property) 재료로 형성되고, 상기 경화성 폴리머는 친수성(hydrophile property) 재료로 형성되는 고분자 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 글로벌프론티어연구개발사업 지능형 구조물의 병렬적 접합을 통한 3차원 멀티스케일 구조물 제작