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나노 입자, 이를 포함하는 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015137495
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 입자, 나노 입자 복합체 및 나노 입자의 제조방법이 개시된다. 나노 입자는 제 1 금속 원소 및 제 2 금속 원소를 포함하는 화합물 반도체를 포함한다. 제 1 금속 원소 및 제 2 금속 원소의 조성에 따라서, 나노 입자의 특성이 용이하게 제어될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110094912 (2011.09.20)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1371883-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자 10-2013-0031156 (2013.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이유원 대한민국 서울특별시 중구
2 최광혜 대한민국 서울특별시 중구
3 이진규 대한민국 서울특별시 중구
4 정연구 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0732599-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085985-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0321392-55
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0617798-40
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0617800-55
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0831582-07
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1172318-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1172316-21
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0901948-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
카드뮴과 아연을 포함하는 화합물 반도체를 포함하며,상기 카드뮴의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 작아지고,상기 아연의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 커지며,중심으로부터 외곽으로 진행하면서 상기 카드뮴의 함량이 적어도 2개의 변곡점을 가지며 작아지고,4
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 제 1 Ⅵ족 원소 및 제 2 Ⅵ족 원소를 포함하는 나노 입자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅵ족 원소는 셀레늄이고, 상기 제 2 Ⅵ족 원소는 황인 나노 입자
6 6
제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 아래의 화학식1로 표시되는 나노 입자
7 7
제 6 항에 있어서, 중심으로부터 멀어질수록 X는 작아지는 나노 입자
8 8
삭제
9 9
카드뮴과 아연을 포함하는 화합물 반도체를 포함하며,상기 카드뮴의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 작아지고,상기 아연의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 커지며,중심으로부터 외곽으로 진행하면서 상기 카드뮴의 함량이 적어도 2개의 변곡점을 가지며 작아지고,4
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 나노 입자의 주위를 둘러싸는 보호막을 포함하는 나노 입자 복합체
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 보호막은 금속 산화물을 포함하는 나노 입자 복합체
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 나노 입자는 상기 화합물 반도체로 구성되는 나노 입자 복합체
14 14
카드뮴 전구체 및 아연 전구체를 혼합하고,상기 카드뮴 전구체 및 아연 전구체의 온도를 상승시키고,상기 카드뮴 전구체로부터의 카드뮴 및 상기 아연 전구체로부터의 아연을 포함하는 화합물 반도체를 형성하는 것을 포함하며,상기 카드뮴의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 작아지고,상기 아연의 함량은 중심으로부터 외곽으로 진행될수록 점점 더 커지며,중심으로부터 외곽으로 진행하면서 상기 카드뮴의 함량이 적어도 2개의 변곡점을 가지며 작아지고,4
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 카드뮴 전구체 및 상기 아연 전구체를 포함하는 반응 용액을 형성하고,상기 반응 용액의 온도를 상승시키는 것을 더 포함하는 나노 입자의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 반응 용액은 50℃ 내지 400℃의 온도까지 상승되는 나노 입자의 제조방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 카드뮴 전구체 및 상기 아연 전구체는 수산화물인 나노 입자의 제조방법
18 18
삭제
19 19
제 15 항에 있어서, 상기 반응 용액은 친핵성 촉매를 더 포함하는 나노 입자의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 친핵성 촉매는 아민 또는 포스핀으로부터 선택되는 나노 입자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09159854 US 미국 FAMILY
2 US20140231749 US 미국 FAMILY
3 WO2013042861 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 TW201318974 TW 대만 DOCDBFAMILY
2 TWI462879 TW 대만 DOCDBFAMILY
3 US2014231749 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9159854 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2013042861 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.