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음이온포스핀금속착화합물이층간결합된하이드로탈사이트형태의새로운화학물질및이의제조방법

  • 기술번호 : KST2015137862
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 여러 분야의 화학 반응에서 촉매로 사용되거나, 의약 분야에서 제산제로 사용 가능한 일반식(3)의 신규 화합물의 합성 방법을 제공한다.일반식(1) T(t)L(l)(SP)(m)과 같은 음이온 포스핀 금속 착화합물을 섭씨 약 300 내지 800도에서 일반식(2) [M(II)(1-x)M(III)(x)(OH)2](x)(A(x/n))-yH2O의 히드로탈사이트 형태 물질의 층간에 정량적으로 결합시키는데, 이때, 금속 착화합물의 음전하가 포스핀 리간드에 의해 형성되고, 포스핀 리간드의 다양성에 의해 넓은 범위의 수용성 금속 착화합물이 히드로탈사이트의 층간에 고정됨으로써, 일반식(3) T(t)L(l)(SP)(m)-[M(II)(1-x)M(III)(x)(OH)2](x)(A(x/n))-yH2O과 같은 음이온 포스핀 금속 착화물의 히드로탈사이트 형태의 물질이 제조된다. 일반식(1),(2),(3)에서 T는 Rh, Co, Ni, Pd, Pt, Ag, Ir, Au 등이고, SP는 트리술폰페닐 포스핀 리간드, 트리카보네이트 페닐 포스핀 리간드 등의 수용성 포스핀 리간드이고, M(II)는 Mg, Zn이고, M(III)는 Al, Cl 등이다.히드로탈사이트 물질의 층간에 포스핀 착화합물(예를 들면, Rh 착화합물 등)이 고정됨으로 인해, 촉매로 사용할 경우 반응 종료시 생성물로부터 고체화된 촉매를 간단히 분리하여 재사용할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL B01J 21/16 (2006.01) B01J 31/24 (2006.01)
CPC B01J 31/24(2013.01) B01J 31/24(2013.01) B01J 31/24(2013.01)
출원번호/일자 1019930006150 (1993.04.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0109616-0000 (1996.12.23)
공개번호/일자 10-1994-0023912 (1994.11.17) 문서열기
공고번호/일자 1019960010080 (19960725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.04.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백행남 대한민국 대전직할시유성구
2 이정호 대한민국 대전직할시유성구
3 심규선 대한민국 대전직할시유성구
4 김형록 대한민국 대전직할시유성구
5 이기화 대한민국 대전직할시유성구
6 한요한 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국화학연구소 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033788-47
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033787-02
3 특허출원서
Patent Application		 1993.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033786-56
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.07.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033789-93
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1995.06.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033790-39
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0012002-47
7 의견서
Written Opinion		 1996.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033793-76
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033791-85
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0033792-20
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0012003-93
11 등록사정서
Decision to grant		 1996.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0012004-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다음의 식(1)과 화학식을 가지는 음이온 포스핀 금속 착화합물이 다음의 식(2)와 화학식을 가지는 하이드로탈사이트 형태 물질의 층간에 정량적으로 결합함에 의하여 생성되는 다음의 식(3)과 같은 화학식을 가지는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질

2 2

음이온 포스핀 금속 착화합물이 하이드로탈사이트 형태 물질의 층간에 정량적으로 결합함에 의하여 생성되는 청구항 제1항의 (3)과 같은 화학식을 가지는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질의 제조방법에 있어서, 하이드로탈사이트 형태 물질을 약 300 내지 800℃로 가열하여 음이온 포스핀 금속 착화합물 용액에 첨가하는 것임을 특징으로 하는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질의 제조방법

3 3

청구범위 제1항에 있어서, 상기 화학식(1) 및 화학식(3)에서 T는 Rh, Co, Ni, Pd, Pt, Ag, Ir, Au등으로 하며, SP는 수용성 포스핀 리간드로서 트리술폰페닐 포스핀 리간드, 트리카보네이트 페닐 포스핀으로 하는 것임을 특징으로 하는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질

4 4

청구범위 제1항에 있어서, 상기 화학식(2) 및 화학식(3)에서 M(II)는 Mg, Zn이고, M(III)는 Al, Cr인 것임을 특징으로 하는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질

5 5

제2항에 있어서, 상기 하이드로탈사이트 형태 물질을 500 내지 600℃로 가열하여 음이온 포스핀 금속 착화합물 용액에 첨가하는 것임을 특징으로 하는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질의 제조방법

6 6

제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 가열된 하이드로탈사이트 형태 물질을 수화시킨 다음 음이온 포스핀 금속 착화합물 용액에 첨가하는 것임을 특징으로 하는 음이온 포스핀 금속 착화합물의 하이드로탈사이트 형태의 물질의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.