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양이온고분자및이의제조방법

  • 기술번호 : KST2015137920
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 착이온 고분자 분리막에 이용되는 하기 일반식(I)의 양이온 고분자 및 이의 제조방법에 관한 것이다:상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이며, R1 및 R2의 결합위치는 각기 독립적으로 오르토, 메타 또는 파라이고, X는 Br, Cl, F, 본 발명에 따른 고분자로 제조된 착이온 막들은 물-유기용매 분리에 아주 유용하다.
Int. CL C08G 73/00 (2006.01) B01D 71/62 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019940025651 (1994.10.05)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0155191-0000 (1998.07.14)
공개번호/일자 10-1996-0014211 (1996.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1019980005545;
심사청구여부/일자 Y (1994.10.07)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규호 대한민국 대전직할시유성구
2 김정훈 대한민국 대전직할시유성구
3 제갈종건 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이태희 대한민국 서울특별시 중구 남대문로 **, 해운센터빌딩본관**층 ***-*** (남대문로*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국화학연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.10.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116306-79
2 출원심사청구서
Request for Examination
1994.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116308-60
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116307-14
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116309-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1997.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0065208-11
6 의견서
Written Opinion
1998.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116310-52
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0116311-08
8 등록사정서
Decision to grant
1998.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0065209-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1

하기 일반식(1)의 반복구조를 가지는 양이온 고분자 :

2

하기 일반식(2)와 하기 일반식(3)을 반응시켜 하기 일반식(1)의 반복 구조를 가지는 양이온 고분자 화합물을 제조하는 방법 :

3

제2항에 있어서, 아세토니트릴을 용매로 사용하는 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02769608 JP 일본 FAMILY
2 JP08117577 JP 일본 FAMILY
3 US05646205 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2769608 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP8117577 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH08117577 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5646205 US 미국 DOCDBFAMILY
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