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갈륨나이트라이드단결정박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015137922
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨 나이트라이드 단결정 박막 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN)를 사파이어 단결정 표면에 헤테로에피탁시(heteroepitaxy)하게 단결정 박막으로 피복성장시키는 과정에 있어서, 별도의 알루미늄 금속원 공급이 없이 사파이어 결합자리에 질소원자를 치환시켜 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride, AIN)를 완충막으로 도입하고 그 위에 HVPE(Halid e Vapor Phase Epitaxy)방법을 이용하여 결정결함이 적은 부르자이트형(wurtzite type) 구조의 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 피복성장시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01)
CPC C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1019940010611 (1994.05.16)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0124972-0000 (1997.10.01)
공개번호/일자 10-1995-0032727 (1995.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (19971127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김향숙 대한민국 대전직할시유성구
2 이선숙 대한민국 대전직할시중구
3 황진수 대한민국 대전직할시대덕구
4 정필조 오스트레일리아 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국화학연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049053-62
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049055-53
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049054-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027615-00
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.05.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049057-44
6 의견서
Written Opinion		 1997.05.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049056-09
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027616-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

사파이어 기판에다 암모니아가스와 갈륨염을 주입하면서 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 제조하는데 있어서, 사파이어 기판에 암모니아 가스를 먼저 흘려주어 알루미늄 나이트라이드 박막층을 입히고 그 위에 HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)방법을 사용하여 헤테로에피탁시하게 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 피복 성장시키는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판은 산에칭 또는 수소에칭한 것임을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 산에칭은 진한 황산과 진한 인산을 3:1의 비율로 혼합한 300∼320℃의 진한 산용액에서 실시한 것임을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드 박막은 4∼7cm의 슬롯확장관과 기판의 거리, 1

5 5

제1항에 있어서, 상기 갈륨 나이트라이드 박막의 성장속도는 0

6 6

제1항에 있어서, 상기 갈륨 나이트라이드 박막은 부르자이트형 구조를 갖고 청색영역에서 광발광성이 관찰되는 것임을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.