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갈륨나이트라이드단결정박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015137929
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 [목적]비교적 낮은 온도에서 결정결함 없이 부르자이트형 구조의 단결정 박막으로 피복을 성장시켜 제조하는 새로운 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법에 관한 것으로, 청색 영역에서 발광 성능이 우수한 고품위의 청색 발광용 화합물 반도체 소재를 제조하기 위한 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 제조하는 방법을 제공한다.[구성]레이저광을 진공조 내로 손실없이 유입하기 위하여 진공조와 레이저 광원 사이에 밀폐된 아크릴 재질의 관을 설치하고, 그 내부 공간을 질소기체로 채운다. 그후, 레이저 광원으로 부터 조사되는 레이저광을 진공조 내로 유입시킨 다음, 진공조내 중앙에 위치한 탄탈(Ta) 금속박편으로 만든 저항 전열기위에 안치시킨 기판을 향하여 비스듬한 각도 또는 수직각도에서 입사시키고, 이때, 반응기체 원료는 진공조내부로 유입된 레이저광에 의해 내부 화학결합이 광분해 반응을 일으켜 반응성이 매우 강한 광분해종 또는 원자를 생성시킨다. 또한, 진공조로 유입된 레이저광에 의해 기판의 표면을 활성화시키고, 활성화된 기판표면에 광분해종 또는 원자가 증착하면서 헤테로 에피탁시한 나이트라이드 단결정의 피복이 이루어짐으로써 갈륨 나이트라이드 단결정 박막이 얻어진다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01)
CPC C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1019940004820 (1994.03.11)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0027014 (1995.10.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.03.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진수 대한민국 대전광역시 대덕구
2 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
3 정필조 미국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022455-36
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022456-82
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022457-27
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022458-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0012643-27
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.11.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022459-18
7 의견서
Written Opinion		 1996.11.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0022460-65
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0012644-73
9 심사전치출원의 심사결과보고서
Notice of Result of Reexamination		 1997.05.16 수리 (Accepted) 1-5-1994-0012647-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조 방법에 있어서, 레이저 VPE방법에 의해 레이저 광을 조사하여 반응원료물질을 광분해시키고 단결정 기판을 활성화시킨 다음 활성화된 기판위에 알루미늄 나이트라이드 박막층을 입히고 그위에 헤테로 에피탁시하게 부르자이트형 구조의 갈륨 나이트라이드 단결정 박막으로 피복 성장시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 레이저 광으로는 엑시머 레이저, 아르곤 레이저, 야그 레이저 또는 이산화탄소 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 반응원료 물질로는 트리메틸갈륨과 트리에틸갈륨에서 선택된 갈륨원과 암모니아와 히드라진에서 선택된 질소원을 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 단결정 기판으로는 Si, 스피넬(spinel), GaAs, MgO, SiC 또는 사파이어로 이루어진 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 피복성장은 530∼800℃의 증착온도에서 시행하는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 갈륨 나이트라이드 단결정 박막은 c축 방향으로 성장되는 것임을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법

7 7

레이저 VPE방법에 의해 형성되고 부르자이트형 구조를 가지며 평균입도가 20∼30㎛의 육각형 힐록형태를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드 단결정 박막

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