하기 일반식(III)으로 표시되는 반복단위를 갖는 전도성 고분자

하기 일반식(I)의 아닐린 유도체 단독 또는 아닐린 유도체(I)와 하기 일반식(II)의 방향족 아민의 혼합물을 단량체로 사용하여 산화제로서 암모늄 퍼설페이트, 염화 제3철 이들의 혼합물 존재하에 중합하고, 얻어진 중합체를 물에 녹여 염산, 황산 또는 과염소산의 산성수용액 과량과 반응시킨 후 과량의 산을 제거하고 나서 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 수산화암모늄 또는 수산화테트라알킬암모늄의 염기성 수용액이나 방향족 아민(II)의 중화하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식(III)으로 표시되는 반복단위를 갖는 전도성 고분자의 제조방법

제 2 항에 있어서, 유도체(Ⅰ)와 방향족 아민(Ⅱ)의 혼합물을 사용하되, 방향족 아민(Ⅱ)을 아닐린 유도체(Ⅰ) 1몰에 대하여 0

하기 일반식(I)의 아닐린 유도체 단독 또는 아닐린 유도체(I)와 하기 일반식(II)의 방향족 아민의 혼합물로 이루어진 단량체를 함유하는 전해질 용액을 작업전극을 이용하여 전기화학적으로 중합하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식(Ⅲ )으로 표시되는 반복단위를 갖는 전도성 고분자의 제조방법

제 4 항에 있어서, 단량체로서 아닐린 유도체(I)와 방향족 아민(II)의 혼합물을 사용하되, 방향족 아민(II)을 아닐린 유도체(I) 1몰에 대하여 0

제 4 항에 있어서, 상기 전해질 용액의 용매 성분이 물, 아세토니트릴, 니트로벤젠, 또는 아세토니트릴과 니트로벤젠의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법

제 4 항에 있어서, 상기 전해질 용액의 음이온이 F-, C1-, Br-, I-, CIO4-, IO4-, NO3-, BF4-, AsF-,PF6-, HSO4-, SO32-, CF3COO-, CF3SO2-, 벤젠 술포네이트, 메탄술포네이트, 톨루엔 술포네이트 등이고, 이들의 양이온이 알칼리금속이온, 암모늄 또는 알킬 암모늄 이온인 전해질을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자(Ⅲ)의 제조방법

제 4 항에 있어서, 전해질 용액하에서 대전극에 평행하게 위치한 작업전극에 Ag/AgCl 기준전극에 대해 0

제 4 항에 있어서, 기준전극을 사용하지 않고 작업전극에 인가되는 전류가 0

제 4 항에 있어서, 작업전극에 일정전압을 걸어 주는 대신 -0