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유기갈륨 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 질화갈륨 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015138153
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 갈륨에 히드라진 계열의 리간드가 결합된 하기 화학식 1로 표현되는 유기갈륨 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따르는 유기갈륨 화합물을 이용하여 간단한 방법으로 경제적으로 육방형 질화갈륨 박막을 제조할 수 있다:R2(N3)Ga(R'HNNR'H)상기 식에서, R, R' 및 R'은 각각 수소 또는 탄소 원자 1 내지 5 개를 포함하는 알킬 기이다.
Int. CL C07F 5/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990022240 (1999.06.15)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0319389-0000 (2001.12.18)
공개번호/일자 10-2001-0002430 (2001.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.06.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤수 대한민국 대전광역시유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시유성구
3 유승호 대한민국 경기도고양시일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.06.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-0061597-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.04.24 수리 (Accepted) 9-1-2001-0005939-98
6 등록결정서
Decision to grant		 2001.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0257244-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1

하기 화학식 1로 표현되는 유기갈륨 화합물:

R2(N3)Ga(R'HNNR'H)

상기 식에서, R, R' 및 R'은 각각 수소 또는 탄소 원자 1 개 내지 5 개를 포함하는 알킬 기이다

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 화합물이 아지도디메틸갈륨 히드라진, 아지도디메틸갈륨 메틸히드라진, 아지도디메틸갈륨 3차 부틸히드라진, 아지도디에틸갈륨 히드라진, 아지도디에틸갈륨 메틸히드라진 및 아지도디에틸갈륨 3차 부틸히드라진으로 이루어진 군에서 선택된 화합물임을 특징으로 하는 화합물

3 3

(1) 하기 화학식 2의 알킬히드라진 염산염과 하기 화학식 3의 알킬갈륨을 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 제조하고, (2) 화학식 4의 화합물과 아지도나트륨을 반응시키는 것을 포함하는 하기 화학식 1의 유기갈륨 화합물의 제조 방법:

화학식 2

(R'HNNHR')·HX


화학식 3

R3Ga

화학식 4

R2(X)Ga(R'HNNR'H)

화학식 1

R2(N3)Ga(R'HNNR'H)

상기 식에서, R, R' 및 R'은 각각 수소 또는 탄소 원자 1 개 내지 5 개를 포함하는 알킬 기이고, X는 할로겐 원소다

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 단계 (1)을 테트라하이드로퓨란, 아세토니트릴 또는 디에틸에테르의 용매를 사용하여 -79 내지 10 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 단계 (2)를 테트라하이드로퓨란, 아세토니트릴 또는 톨루엔의 용매를 사용하여 70 내지 100 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

하기 화학식 1의 화합물을 증기 상태로 기질과 접촉시켜 기질 표면에 질화갈륨 박막을 제조하는 방법:

화학식 1

R2(N3)Ga(R'HNNR'H)
7 7

제 6 항에 있어서,

화학식 1의 화합물을 40 내지 100 ℃의 온도에서 기화시켜 400 내지 800 ℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01061083 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01061083 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP03323858 JP 일본 FAMILY
4 JP13048886 JP 일본 FAMILY
5 US06329540 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE60001871 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE60001871 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 EP1061083 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1061083 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2001048886 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP3323858 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US6329540 US 미국 DOCDBFAMILY
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