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고순도 인산 결정 제조방법과 그 장치

  • 기술번호 : KST2015138326
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고순도 인산 결정의 제조방법과 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스크레이프가 부착된 종자 결정화기에서 0.3 ∼ 0.7 ㎜ 크기의 종자 인산 결정을 연속적으로 제조하는 과정과, 프로그래밍 냉각식 결정화, 직접접촉식 결정화, 증발식 결정화 등을 이용하여 인산 결정을 2 ∼ 5 ㎜ 크기로 성장시키는 과정, 그리고 인산 결정을 온도 구배된 정제조에서 정제하는 과정으로 구성되어 있으며, 특히, 인산 결정의 숙성과정에서의 결정성장속도를 특이성 있게 조절함으로써 결정크기 조절은 물론 결정형상을 구형에 가까운 다면체로 조절하여 반도체용 등급의 고순도 인산 결정을 제조하는 방법 및 이의 제조에 적용되는 장치에 관한 것이다.인산 결정, 결정화
Int. CL C30B 29/14 (2006.01)
CPC C01B 25/234(2013.01)C01B 25/234(2013.01)
출원번호/일자 1020010072627 (2001.11.21)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0447941-0000 (2004.08.31)
공개번호/일자 10-2003-0042108 (2003.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20040908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광주 대한민국 대전광역시유성구
2 이정민 대한민국 대전광역시유성구
3 김철웅 대한민국 대전광역시유성구
4 김재경 대한민국 경상남도진주시일
5 김수연 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2001-0302934-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2003-0044740-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0505409-68
7 의견서
Written Opinion
2003.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0500181-35
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0500180-90
9 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2003.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0500182-81
10 등록결정서
Decision to grant
2004.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0284303-99
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1

내부에 스크레이프가 부착되어 있고, 관벽의 온도가 -70 ∼ -30 ℃로 유지된 결정화조에 인산원료를 공급하여 관벽에 인산 결정층을 형성시킴과 동시에 스크레이프로 인산 결정층을 긁어서 종자 인산 결정을 제조하는 과정,

상기한 종자 인산 결정을 4 ∼ 20 ℃의 저온으로 유지되는 숙성조에서 10 ∼ 40분간 숙성하는 과정, 그리고

하부 온도 22 ∼ 28 ℃ 및 상부 온도 10 ∼ 19 ℃로 유지되는 정제조에서, 상기 숙성한 결정입자를 침강 및 환류시켜 정제하는 과정이 포함되는 고순도 인산 결정의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 결정숙성과정에서의 결정성장속도가 1×10-9 ∼ 1×10-6 m/sec 범위로 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 결정숙성과정에서의 냉각속도가 0

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 냉각은 다음 화학식 1로 표시되는 프로그래밍 조절 방법(n= 1 ∼ 5)에 의하는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

5 5

제 3 항에 있어서, 상기 냉각은 탄소수 2 내지 4의 액화탄화수소를 냉매로 사용하여 인산 용액과 직접 접촉하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 직접 접촉 냉매의 온도가 -60 ∼ 20 ℃ 범위인 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 종자 인산 결정의 크기가 0

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 숙성된 인산 결정의 크기가 2 ∼ 5 ㎜인 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

9 9

제 1 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 숙성된 인산 결정의 형태가 구형에 가까운 다면체형인 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 정제조에서의 인산 결정의 침강속도가 0

11 11

제 1 항에 있어서, 상기 인산원료 중에는 불순물로서 Al 200 ppb, As 50 ppb, Au 50 ppb, Ag 50 ppb, Ba 200 ppb, B 10 ppb, Ca 500 ppb, Cd 500 ppb, Co 50 ppb, Cu 50 ppb, Cr 10 ppb, Fe 5000 ppb, Ga 500 ppb, K 5000 ppb, Li 20 ppb, Mg 50 ppb, Mn 50 ppb, Na 5000 ppb, Ni 100 ppb, Pb 50 ppb, Si 5000 ppb, Sn 5000 ppb, Sr 50 ppb, Zn 200 ppb 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

12 12

제 1 항에 있어서, 상기 방법으로 얻어진 고순도 인산 결정은 Al 10 ppb , As 15 ppb, Au 1 ppb, Ag 1 ppb, Ba 10 ppb, B 1 ppb, Ca 10 ppb, Cd 3 ppb, Co 5 ppb, Cu 1 ppb, Cr 2 ppb, Fe 25 ppb, Ga 1 ppb, K 1 ppb, Li 10 ppb , Mg 10 ppb, Mn 1 ppb, Na 50 ppb, Ni 15 ppb, Pb 1 ppb, Si 60 ppb, Sn 15 ppb, Sr 1 ppb, Zn 10 ppb 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정의 제조방법

13 13

인산공급을 위한 원료인산조(11)와, 외부의 쟈켓(12) 및 내부의 스크레이프(13)를 갖는 결정화조(14)로 구성되며, 외부의 쟈켓(12)을 순환하는 냉매를 이용하여 내부온도를 -70 ∼ -30 ℃로 유지하고 스크레이프(13)를 이용하여 벽면의 결정을 긁어내어 인산 종자 결정을 연속 제조하는 결정제조장치(10)와,

온도 조절을 위한 냉매 순환기(21) 및 온도센서(22)와, 프로펠러 교반기(23)를 가지면서 인산 결정을 수용하는 숙성조(24)로 구성되며, 인산 결정을 4 ∼ 20 ℃로 냉각하여 10 ∼ 40 분간 숙성시키는 결정숙성장치(20)와,

온도 유지를 위한 외부의 쟈켓(31)과 결정의 용융을 위한 내부의 가열기(32)를 갖는 정제조(33)로 구성되며, 결정입자의 중력에 의해 침강되는 결정입자를 하부에서 용융시켜 일부는 환류시키고 일부는 제품으로 취하는 결정정제장치(30)를

포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정 제조장치

14 14

제 13 항에 있어서, 상기 결정숙성장치(20)는 인산용액에 액화기체를 직접 접촉시키는 방식으로 2 ∼ 5 ㎜ 크기의 결정을 얻을 수 있도록 하는 액화기체 공급관(25)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정 제조장치

15 15

제 14 항에 있어서, 상기 결정정제장치(30)는 외부의 쟈켓(31)과 내부의 가열기(32)에 의해 정제조 하부는 22 ∼ 28 ℃의 온도로 유지되고 상부는 10 ∼ 19 ℃의 온도로 설정되어 정제조 전체의 농도구배를 유도할 수 있도록 가동되는 것을 특징으로 하는 고순도 인산 결정 제조장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.