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1) 40 ∼ 200 ℃로 유지된 증발조에 인산원료를 공급하여 인산(P2O5)의 농도를 60 ∼ 80%로 농축시키는 과정, 2) 상기 1 단계의 농축된 인산용액을 -70 ∼ 20 ℃로 유지된 결정화조에 공급하여 인산 결정을 제조하는 과정, 및 3) 상기 2 단계의 인산 결정을 20 ∼ 80 ℃로 유지된 부분용융장치에 공급하여 결정입자를 부분용융 및 환류시켜 정제하는 과정 이 포함되는 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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제 1 항에 있어서, 상기 1 단계의 인산원료는 인광석을 건식 또는 습식 공정에 의하여 제조한 저급인산을 사용하는 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 인산결정은 불순물 총 함량이 100 ∼ 30,000 ppb의 범위인 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 결정화조 교반속도는 10 ∼ 1000 rpm 범위인 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 결정화조 냉각속도는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 인산원료에 함유된 불순물은 Al 100ppb , As 20ppb, Au 20ppb, Ag 10ppb, Ba 100ppb, B 100ppb, Ca 100ppb, Cd 100ppb, Co 10ppb, Cu 10ppb, Cr 2ppb, Fe 100ppb, Ga 100ppb, K 100ppb, Li 5ppb, Mg 1ppb, Mn 1ppb, Na 100ppb, Ni 20ppb, Pb 20ppb, Si 100ppb, Sn 1000ppb, Sr 10ppb, Zn 40ppb 이상 포함된 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방법으로 얻어진 고순도 인산은 불순물로 Al 30ppb, As 30ppb, Au 3ppb, Ag 19ppb, Ba 10ppb, B 1ppb, Ca 10ppb, Cd 3ppb, Co 5ppb, Cu 1ppb, Cr 10ppb, Fe 25ppb, Ga 1ppb, K 1ppb, Li 10ppb, Mg 10ppb, Mn 1ppb, Na 50ppb, Ni 15ppb, Pb 1ppb, Si 20ppb, Sn 15ppb, Sr 1ppb, Zn 10ppb 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 인산정제방법
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열매체(2)와 열교환기(3)를 이용하여 40 ∼ 200 ℃를 유지시켜 고농도의 인산용액을 제조하는 증발조(1)와, 온도조절을 위한 냉각수(5)와 온도조절기(6)를 이용하여 -70 ∼ 20 ℃를 유지시키고, 내부교반기(7)를 이용하여 인산결정을 제조하는 결정화조(4)와, 인산결정의 용융을 위한 용융조절장치(9)과 열매체(10)를 이용하여 20 ∼ 80 ℃를 유지시켜 인산결정을 부분 용융시켜 일부는 환류시키고 일부는 고순도의 인산으로 얻는 부분용융장치(8)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고순도 인산 제조장치
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