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고온하에서 PTC 특성을 갖는 회로 보호용 소자 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138400
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PTC(positive temperature coefficient) 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 나노 크기를 갖는 전도성 충전제 표면을 실란 커플링제로 직접 처리한 후 이를 결정성 폴리올레핀계 수지와 용융 혼합하여 수득된 전도성 중합체 조성물로 이루어진 저항체 박막에 전극 및 전해질 금속박을 적층시키는 것을 포함하는, PTC 소자의 제조방법 및 이로부터 제조된 PTC 소자에 관한 것이다. 본 발명의 PTC 소자는 상온에서 낮은 저항값 및 우수한 PTC 세기를 나타내며, 가교도 증진을 통해 NTC (negative temperature coefficient) 현상이 제거되고 재현성이 향상된 소자로서 정온 전선, 과전류 차단용 전기장치, 회로 보호 소자, 가열기 등의 소자로 사용하기에 유용하다.
Int. CL H01B 1/04 (2011.01)
CPC H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01) H01C 7/022(2013.01)
출원번호/일자 1020020048960 (2002.08.19)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0523294-0000 (2005.10.14)
공개번호/일자 10-2004-0016677 (2004.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20051024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.08.19)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박수진 대한민국 대전광역시유성구
2 이재락 대한민국 대전광역시유성구
3 김은경 대한민국 대전광역시유성구
4 서민강 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위정호 대한민국 경기도 성남시 중원구 양현로 ***, ***호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0266753-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0074620-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0021492-98
5 의견서
Written Opinion
2005.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0140317-83
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0140326-94
7 등록결정서
Decision to grant
2005.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0341771-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소계 충전제 표면을 유기실란계 커플링제로 직접 처리한 후 이를 결정성 폴리올레핀계 수지와 용융 혼합하여 수득된 전도성 중합체 조성물로 이루어진 저항체 박막에 전극 및 전해질 금속박을 적층시키는 것을 포함하는, PTC 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,전도성 중합체 조성물이 결정성 폴리올레핀계 수지 100 중량부 및 탄소계 충전제 분말 20 내지 50 중량부를 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 탄소계 충전제의 입도가 30∼100 nm 임을 특징으로 하는 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 결정성 폴리올레핀계 수지가 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중에서 선택된 1종 이상이고, 탄소계 충전제가 탄소 분말, 흑연 분말 및 카본블랙 중에서 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상온에서 0
6 6
제 1 항에 있어서, 유기실란계 커플링제가 비닐 트리스-(부타논 옥심) 실란(vinyl tris-(butanone oxime) silane), 비닐 옥심이노 실란(vinyl oximino silane), 비닐 트리스-(메틸 에틸 케톡시모) 실란(vinyl tris-(methyl ethyl ketoximo) silane), γ-아미노프로필메틸디에톡시실란(γ-aminopropylmethyldiethoxysilane), γ-아미노프로필트리에톡시실란(γ-aminopropyltriethoxysilane), γ-아미노프로필트리메톡시실란(γ-aminopropyltrimethoxysilane), 메틸트리아세톡시실란 (methyltriacetoxysilane) 및 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane)로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 전해질 금속박의 두께가 10∼50 μm인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 PTC 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 두께가 0
10 10
제 8 항에 있어서, 상온에서 저항 (ρRT)이 101∼102 ohm·cm이고, 상온에서 Tm+5℃까지의 PTC 세기 변화가 107∼109 임을 특징으로 하는 PTC 소자
11 11
제 8 항에 있어서, Tm+5∼20℃ 이상의 온도에서도 NTC 현상을 나타내지 않으며, 최대 피크 비저항이 107∼109 ohm·cm임을 특징으로 하는 PTC 소자
12 11
제 8 항에 있어서, Tm+5∼20℃ 이상의 온도에서도 NTC 현상을 나타내지 않으며, 최대 피크 비저항이 107∼109 ohm·cm임을 특징으로 하는 PTC 소자
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