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하기 화학식 1a로 표시되는 구형의 녹색 발광 형광체: Zn 2-x Si 1-y O 4 :Mn x ,Mg y 상기 식에서, 0
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아연(Zn) 화합물; 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 일부 또는 전체로 포함하는 규소 화합물; 망간(Mn) 화합물; 바륨(Ba), 가돌리늄(Gd), 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상의 금속 화합물; 금속 화합물이 가돌리늄 또는 알루미늄 화합물인 경우에는 리튬 화합물; 및 카르복실산을 용매에 용해시킨 후, 생성된 전구체 혼합 용액을 액적 발생 장치를 이용하여 미세 액적으로 분무하면서 반응기 온도 200 내지 1500℃에서 건조 및 열처리하여 형광체 분말을 합성하고, 합성된 형광체 분말을 1000 내지 1500℃에서 1 내지 10시간 동안 열처리하는 것을 포함하는, 하기 화학식 1의 아연 실리케이트계 형광체의 제조방법: 화학식 1 상기 식에서, D는 Ba, Mg, Gd 및 Al 중에서 선택된 1종 이상이며, 0
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제2항에 있어서, 아연 화합물, 규소 화합물, 망간 화합물, 또는 금속(D) 화합물이 그의 질산염, 초산염, 염화물, 산화물, 탄산염 또는 황화물 형태임을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 카르복실산이 구연산, 사과산, 메소 주석산, 포도산 및 메콘산 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 전구체 혼합 용액의 총 농도가 0
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제2항에 있어서, 미세 액적의 직경이 0
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7
제2항에 있어서, 액적 발생 장치가 초음파, 공기노즐, 초음파노즐, 정전 분무장치 및 필터팽창 액적 발생 장치 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
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8 |
8
제2항에 있어서, 열처리 공정 이후에 700 내지1000℃에서 1 ∼ 10 % 수소/질소 혼합가스를 이용하여 환원 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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9
제1항의 아연 실리케이트계 형광체를 발광층에 포함하는, 플라즈마 디스플레이 또는 발광 램프
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10
하기 화학식 2로 표시되는 구형의 이트륨 실리케이트계 형광체: 화학식 2 상기 식에서, M은 Tb, Ce 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상이며, 0<x<0
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11
이트륨 화합물; 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)를 일부 또는 전체로 포함하는 규소 화합물; 유로피움(Eu), 테르븀(Tb) 및 세륨(Ce) 중에서 선택된 1종 이상의 금속 화합물; 및 카르복실산을 용매에 용해시킨 후, 생성된 전구체 혼합 용액을 액적 발생 장치를 이용하여 미세 액적으로 분무하면서 반응기 온도 200 내지 1500℃에서 건조 및 열처리하여 형광체 분말을 합성하고, 합성된 형광체 분말을 1000 내지 1500℃에서 1 내지 10시간 동안 열처리하는 것을 포함하는, 하기 화학식 2의 이트륨 실리케이트계 발광 형광체의 제조방법: 화학식 2 상기 식에서, M은 Tb, Ce 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상이며, 0<x<0
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12
제11항에 있어서, 이트륨 화합물, 규소 화합물 또는 금속(D) 화합물이 그의 질산염, 초산염, 염화물, 산화물, 탄산염 또는 황화물 형태임을 특징으로 하는 방법
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13
제11항에 있어서, 카르복실산이 구연산, 사과산, 메소 주석산, 포도산 및 메콘산 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
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14
제11항에 있어서, 전구체 혼합 용액의 총 농도가 0
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15
제11항에 있어서, 미세 액적의 직경이 0
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제11항에 있어서, 액적 발생 장치가 초음파, 공기노즐, 초음파노즐, 정전 분무장치 및 필터팽창 액적 발생 장치로 이루어진 군중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
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17
제10항의 이트륨 실리케이트계 형광체를 발광층에 포함하는, 전계발광 디스플레이 또는 발광 램프
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18 |
17
제10항의 이트륨 실리케이트계 형광체를 발광층에 포함하는, 전계발광 디스플레이 또는 발광 램프
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