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반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138418
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물을 광반응으로 분해하는 데에 사용되는 반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이에 의한 물분해 수소 제조방법 관한 것으로, 이 광촉매는 하기의 일반식 I를 가지는 것을 특징으로 한다. Ax/MyM'zS ------------------------------------------ 일반식 I (상기 일반식에서 A는 담지된 반도체입자로서, Si, SiC, TiO2 중 선택된 1종이며, x는 MyM'zS에 대한 A의 mole비[Ax/(MyM'zS)]를 나타낸 것으로 0.5 ∼ 2.0 의 값을 갖는다. M은 Sn, Zn 중 선택된 금속이고, M'은 Co, Mn, Fe, Cu, Ru 중 선택된 금속이다. y는 M/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 50.0 ∼ 95.0의 값을 갖는다. z는 M'/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 5.0 ∼ 80.0의 값을 갖는다.) 본 발명의 광촉매는 두 종류 이상의 상이한 반도체물질들과 혼합 금속 설파이드계 광촉매과의 접합으로 제조된 새로운 광촉매이며, 가시광선영역에서 물분해 광촉매로서 이상적인 band gap energy 와 band edge position을 가진 신규 반도체 광촉매이다.
Int. CL B01J 27/04 (2006.01)
CPC B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01) B01J 27/04(2013.01)
출원번호/일자 1020020052516 (2002.09.02)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0486388-0000 (2005.04.21)
공개번호/일자 10-2004-0021075 (2004.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20050429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박대철 대한민국 대전광역시유성구
2 백진욱 대한민국 대전광역시유성구
3 박양진 대한민국 대구광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박희섭 대한민국 광주광역시 광산구 무진대로 *** (국민연금광주사옥*층)(특허법인아주(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2002-0286757-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0015898-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0493598-86
5 의견서
Written Opinion
2005.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0034266-33
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2005.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0034265-98
7 등록결정서
Decision to grant
2005.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0169312-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
하기의 일반식 I를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체입자가 담지된 수소발생용 금속 설파이드계 광촉매
2 2
제 1항 기재의 M의 atom %가 50
3 3
제 2항에 있어서, M을 함유한 화합물은 SnCl2, ZnCl2, ZnBr2, ZnI2, Zn(CH3CO2)2·xH2O, ZnSO4·xH2O 및 Zn(NO3)2·xH2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 입자가 담지된 수소발생용 금속 설파이드계 광촉매의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, M'을 함유한 화합물은 Co(NO3)2, CoCl2, FeCl3, Mn(CH3CO2)2·4H2O, MnBr2, MnI2, MnCl2, CuCl2, Cu(NO3)2·3H2O, RuCl3·xH2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 입자가 담지된 수소발생용 금속 설파이드계 광촉매의 제조방법
5 5
제 1항 기재의 광촉매를 환원제로 Na2SO3를 0
6 6
제 5항에 있어서, 반응조건은 10∼60℃의 온도 및 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.