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산화아연 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138469
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 박막 제조 방법에 관한 것으로서, a) 아연 원으로 알킬산알킬아연을 침착(deposition) 반응기에 공급하여 기질 위에 아연 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 아연 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 기존의 원자층 침착법에 비해 온화한 공정 조건에서 양호한 품질의 산화아연 박막을 얻을 수 있다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01)
CPC C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/45553(2013.01)
출원번호/일자 1020030022911 (2003.04.11)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0488852-0000 (2005.05.02)
공개번호/일자 10-2004-0089226 (2004.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20050510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤수 대한민국 대전광역시유성구
2 안기석 대한민국 대전광역시유성구
3 김창균 대한민국 대전광역시유성구
4 조원태 대한민국 부산광역시수영구
5 성기환 대한민국 인천광역시연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위정호 대한민국 경기도 성남시 중원구 양현로 ***, ***호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0128321-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0066859-11
4 등록결정서
Decision to grant		 2005.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0059479-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 아연 원으로서 알킬산알킬아연을 침착 반응기에 공급하여 기질 상에 아연 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 아연 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계 를 포함하는 산화아연 박막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 a) 내지 d) 단계를 1 주기로 하여 목표 두께의 산화아연 막이 형성될 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 아연 원이 아래 식으로 표현되는 알킬산알킬아연 화합물인 것을 특징으로 하는 방법: 화학식 1 R1-Zn-O-R2 상기 식에서, R1과 R2는 각각 C1-C4 알킬기이다
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 아연 원이 이소프로필산메틸아연, 이소프로필산에틸아연, 이차부틸산메틸아연, 삼차부틸산메틸아연 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 기질이 실리콘 또는 유리인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 기질의 온도를 100 ℃ 내지 300 ℃로 유지하는 것을 특징으로 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 산소 원이 물 또는 산소 기체인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 아연 원으로 이소프로필산메틸아연을, 산소 원으로 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 a) 단계가 1 주기 당 60초 이상, 그리고 상기 c) 단계가 1 주기 당 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 b) 제 1 정화 단계 및/또는 d) 제 2 정화 단계에서 진공 정화하거나 비활성 기체를 공급하여 정화하는 것을 특징으로 하는 방법
11 10
제 1 항에 있어서, 상기 b) 제 1 정화 단계 및/또는 d) 제 2 정화 단계에서 진공 정화하거나 비활성 기체를 공급하여 정화하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.