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인듐 포스파이드 나노입자 양자점의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138474
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 하기의 화학식 VII 및 VIII의 두 단계반응 방법으로 제조되어지는 것을 특징으로 하며, 본 발명을 통하여 제조공정이 단순화되고, 안정적이며 폭발의 위험성이 없는 물질을 사용하여 인듐포스파이드(InP) 나노입자 양자점을 선택적으로 제조할 수 있게 되었다. 인듐포스파이드, 양자점, 나노입자, 백린, 인듐클로라이드
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01) C09K 11/62(2013.01)
출원번호/일자 1020030032547 (2003.05.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0549402-0000 (2006.01.27)
공개번호/일자 10-2004-0100257 (2004.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전기원 대한민국 대전광역시 유성구
2 엄민식 대한민국 부산광역시 부산진구
3 백진욱 대한민국 대전광역시 유성구
4 석상일 대한민국 대전광역시 유성구
5 파완 쿠마르 카나 인도 인도 푼-** 바브단 쿠

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박희섭 대한민국 광주광역시 광산구 무진대로 *** (국민연금광주사옥*층)(특허법인아주(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0181825-91
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0190111-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009653-77
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0353378-33
6 의견서
Written Opinion		 2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0535702-12
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0535687-14
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0042255-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
알곤 기류 하에서 백린(white phosphorous)과 금속 나트륨을 반응용매에 넣은 후 가온 교반하여 푸른 빛을 띄는 검은색의 Na3P 콜로이드 용액을 얻은 다음(반응식 VII), 이 Na3P 콜로이드 용액에 인듐 클로라이드(indium chloride) 및 콜로이드 안정제를 녹인 용액을 주입한 후 충분히 교반하는(반응식 VIII) 것을 특징으로 하는 크기가 균일한 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 화학식 VII의 반응에서 DMF(N,N'-dimethylformamide) 또는 DEE (1,2-diethoxy- ethane) 중 선택된 1종이 반응용매로 사용되는 것을 특징으로 하는 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점의 제조방법
3 3
제1항 있어서
4 4
제 1항 있어서, 반응온도는 110-150oC인 것을 특징으로 하는 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.