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일정한 두께의 실리콘 산화막이 증착되어 있는 실리콘 기판 위에 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 전극 패턴 위에 탄소나노튜브가 들어있는 액상 혼합물을 떨어뜨린 후 10분 동안 정지상태로 유지하는 단계;탄소나노튜브가 놓여져 있는 전극 패턴을 갖는 기판 전체를 500rpm 이상의 속도로 회전시켜 탄소나노튜브가 원심력을 받아 수평이동되면서 인접한 두 전극 사이로 위치되어 두 전극을 연결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서는 정사각형의 기판 위에 상하 및 좌우로 각 3개의 전극 쌍을 구성하고 4개의 외부 전원 단자만으로 전극 쌍이 각각 독립적으로 구동하도록 전극 패턴을 배치하는 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 제조방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서는 서로 마주보는 두 전극의 첨단부 사이 간격을 0
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청구항 1에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 수평이동을 이용하여 두 전극을 연결하는 단계는 메탄올을 이용하여 잔류 불순물 나노입자를 제거하여 전극 패턴을 세정하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 제조방법
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일정한 두께의 실리콘 산화막이 증착되어 있는 실리콘 기판 위에 전극 패턴을 형성하고, 상기 전극 패턴 위에 탄소나노튜브가 들어있는 액상 혼합물을 떨어뜨린 후 일정시간 정지상태로 유지시키며, 탄소나노튜브가 놓여져 있는 전극 패턴을 갖는 기판 전체를 일정 속도로 회전시켜 탄소나노튜브가 원심력을 받아 수평이동되면서 인접한 두 전극 사이로 위치되는 동시에 두 전극을 연결한 구조로 이루어진 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서에 있어서,상기 전극 패턴은 정사각형의 기판 위에 상하 및 좌우측으로 각 3개의 전극 쌍이 배치되고, 각 측에 1개씩 총 4개의 외부 전원 단자만으로 전극 쌍이 각각 독립적으로 구동하도록 전극 패턴이 배치되는 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서
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청구항 7에 있어서, 상기 전극 패턴은 소정의 미세선폭을 갖는 두 전극의 첨단부가 서로 마주보는 형태가 되는 구조인 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서,
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청구항 8에 있어서, 상기 서로 마주보는 두 전극의 첨단부는 각각의 선폭이 0
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청구항 8에 있어서, 상기 서로 마주보는 두 전극의 첨단부는 각각의 선폭이 0
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