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스트론튬실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를이용한 발광다이오드

기술번호 : KST2015138529
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 형광체에 관한 것으로, 구체적으로는 Sr3-xSiO5 : Eu2+ x (x는 0 < x ≤1)로 표시되는 스트론튬실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 형광체를 이용한 발광다이오드는 넓은 파장의 스펙트럼을 가지고, 색순도면에서 우수한 성질을 보이며, 발광다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이의 후면 광원에 적용될 때, 매우 높은 발광 효율을 가질 수 있다. 스트론튬실리케이트계 형광체, 발광다이오드
Int. CL	C09K 11/71 (2006.01)
CPC	C09K 11/71(2013.01) C09K 11/71(2013.01) C09K 11/71(2013.01) C09K 11/71(2013.01) C09K 11/71(2013.01)
출원번호/일자	1020040020932 (2004.03.26)
출원인	한국화학연구원
등록번호/일자	10-0574546-0000 (2006.04.20)
공개번호/일자	10-2004-0085039 (2004.10.07) 문서열기
공고번호/일자	(20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020030019528 \| 2003.03.28
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.03.26)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국화학연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김창해	대한민국	대전광역시유성구
2	박정규	대한민국	대전광역시유성구
3	박희동	대한민국	경기도용인시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	허용록	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 **, 층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국화학연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.03.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0126673-58
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.11.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원심사처리보류통지서 Notice of Deferment of Processing of Application Examination	2005.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0596754-85
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.12.02	수리 (Accepted)	9-1-2005-0078574-64
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.12.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0642837-90
6	의견서 Written Opinion	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0119540-00
7	등록결정서 Decision to grant	2006.03.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0169841-90
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.16	수리 (Accepted)	4-1-2008-5059312-66
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.05.14	수리 (Accepted)	4-1-2008-5074743-27
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2008-5208083-56
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149265-52
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149242-13

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 다음 화학식 1로 표시되는 스트론튬실리케이트계 형광체 [화학식 1] Sr3-xSiO5 : Eu2+ x (x는 0 < x ≤1)
2	2 스트론튬카보네이트(SrCO3), 실리카(SiO2), 및 유로퓸옥사이드(Eu2O3)가 혼합된 혼합물을 형성하는 단계; 상기 혼합물을 건조하는 단계; 및 상기 건조된 혼합물을 환원 분위기에서 열처리하는 단계에 의해서 Sr3-xSiO5 : Eu2+ x (x는 0 < x ≤1)가 형성되는 것을 특징으로 하는 스트론튬실리케이트계 형광체의 제조방법
3	3 제 2항에 있어서, 상기 유로퓸옥사이드(Eu2O3)는 스트론튬카보네이트(SrCO3)에 대하여 0
4	4 제 2항에 있어서, 상기 건조하는 단계에서, 건조온도는 100 ~ 150 ℃, 건조시간은 1 ~ 24 시간의 범위인 것을 특징으로 하는 스트론튬실리케이트계 형광체의 제조방법
5	5 제 2항에 있어서, 상기 열처리 단계에서, 열처리 온도는 800 ~ 1500 ℃, 열처리 시간은 1 ~ 48 시간의 범위인 것을 특징으로 하는 스트론튬실리케이트계 형광체의 제조방법
6	6 제 2항에 있어서, 상기 열처리 단계에서, 환원 분위기는 수소 혼합가스에 의해서 조성되는 것을 특징으로 하는 스트론튬실리케이트계 형광체의 제조방법
7	7 제 2항에 있어서, 상기 열처리 단계에서, 환원 분위기는 수소가 2 ~ 25 % 중량비율로 혼합된 질소가스에 의해서 조성되는 것을 특징으로 하는 스트론튬실리케이트계 형광체의 제조방법
8	8 발광다이오드 칩; 및 상기 발광다이오드 칩에서 출사된 빛에 의해 여기되고 다음 화학식 1로 표시되는 스트론튬실리케이트계 형광체가 포함되는 발광다이오드
9	9 제 8항에 있어서, 상기 형광체에 의해서 여기되는 광은 500 ~ 700 nm의 파장대를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
10	10 제 8항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 출사된 광이 반사되는 반사컵 상에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
11	11 제 8항에 있어서, 상기 형광체를 여기시키는 발광다이오드 칩은 청색 발광다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
12	12 제 8항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩 및 상기 형광체는 투광성 수지에 의해 몰딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
13	12 제 8항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩 및 상기 형광체는 투광성 수지에 의해 몰딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP01611220	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	JP18514152	JP	일본	FAMILY
3	US07045826	US	미국	FAMILY
4	US20060022208	US	미국	FAMILY
5	WO2004085570	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN100412156	CN	중국	DOCDBFAMILY
2	CN1745159	CN	중국	DOCDBFAMILY
3	EP1611220	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
4	EP1611220	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
5	JP2006514152	JP	일본	DOCDBFAMILY
6	JP2006514152	JP	일본	DOCDBFAMILY
7	JP2006514152	JP	일본	DOCDBFAMILY
8	US2006022208	US	미국	DOCDBFAMILY
9	US7045826	US	미국	DOCDBFAMILY
10	WO2004085570	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0574546-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040326 출원 번호 : 1020040020932 공고 연월일 : 20060427 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060327 청구범위의 항수 : 12 유별 : C09K 11/71 발명의 명칭 : 스트론튬실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를이용한 발광다이오드 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	729,000 원	2006년 04월 19일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2009년 04월 21일	납입
제 5 년분	금 액	304,000 원	2010년 04월 19일	납입
제 6 년분	금 액	304,000 원	2011년 03월 18일	납입
제 7 년분	금 액	556,000 원	2012년 03월 05일	납입
제 8 년분	금 액	556,000 원	2013년 03월 06일	납입
제 9 년분	금 액	556,000 원	2014년 03월 05일	납입
제 10 년분	금 액	900,000 원	2015년 03월 05일	납입
제 11 년분	금 액	900,000 원	2016년 03월 04일	납입
제 12 년분	금 액	900,000 원	2017년 03월 07일	납입
제 13 년분	금 액	1,020,000 원	2018년 03월 06일	납입
제 14 년분	금 액	1,020,000 원	2019년 03월 13일	납입
제 15 년분	금 액	1,020,000 원	2020년 03월 16일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.03.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0126673-58
2	선행기술조사의뢰서	2005.11.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원심사처리보류통지서	2005.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0596754-85
4	선행기술조사보고서	2005.12.02	수리 (Accepted)	9-1-2005-0078574-64
5	의견제출통지서	2005.12.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0642837-90
6	의견서	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0119540-00
7	등록결정서	2006.03.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0169841-90
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.16	수리 (Accepted)	4-1-2008-5059312-66
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.05.14	수리 (Accepted)	4-1-2008-5074743-27
10	출원인정보변경(경정)신고서	2008.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2008-5208083-56
11	출원인정보변경(경정)신고서	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149265-52
12	출원인정보변경(경정)신고서	2017.09.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5149242-13

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