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비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138563
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음이온성 고분자를 혼합하여 형성한 고분자 매트릭스와, 양이온금속 또는 양이온성 고분자가 상호침투하여 형성한 망상구조의 착물막을 특정의 조건에서 수팽윤 및 비용매에 의해 치환하는 일련의 과정으로, 비용매로 치환방법에 따라 완전 다공성에서부터 부분적 다공성으로 몰폴로지 제어가 가능한 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 비대칭 구조, 고분자 전해질 착물막, 수팽윤 및 비용매
Int. CL C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01) C08J 5/2212(2013.01)
출원번호/일자 1020040021738 (2004.03.30)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0562521-0000 (2006.03.13)
공개번호/일자 10-2005-0097024 (2005.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규호 대한민국 대전광역시유성구
2 김상균 대한민국 대전광역시유성구
3 이기섭 대한민국 충청북도청주시상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0132223-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0061710-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0521773-17
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0745714-74
6 의견서
Written Opinion		 2006.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0041184-97
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0041182-06
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0136588-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
음이온성 고분자 매트릭스와, 상기 매트릭스 표면에 존재하는 음이온과, 양이온 금속 또는 양이온성 고분자가 상호침투 및 착결합하여 형성된 망상구조를 갖는 착물층으로 구성되어 이루어지며, 상기 착물층은 수팽윤과 비용매에 의한 치환에 의해 다공도가 조절된 것임을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 음이온성 고분자는 음이온 폴리사카라이드계 고분자 단독; 또는 상기 음이온 폴리사카라이드계 고분자에, 선형 폴리아크릴산, 소듐 폴리스티렌설포네이트 및 폴리비닐알콜 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상으로 구성된 혼합물이 포함되어 이루어진 고분자 혼합물인 것임을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 음이온 폴리사카라이드계 고분자는 알긴산 나트륨, 카파형-카라기난, 아이오타형-카라기난, 람타형-카라기난, 셀룰로오즈계 설페이트, 덱스트린 설페이트, 카르복시메틸 셀룰로오스, 소듐 하이아루로네이트 및 설페이트기를 함유한 글리코사미노글리칸 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상으로 구성된 혼합물인 것임을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 양이온금속은 바륨, 카드뮴, 칼슘, 크롬, 구리, 철, 납, 마그네슘, 망간, 수은, 스트론튬, 니켈, 아연 및 주석 중에서 선택된 2가 이온 또는 알루미늄, 크롬 및 철 중에서 선택된 3가 이온인 것임을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 양이온성 고분자는 키토산, 카르복시메틸 키토산, 카르복시에틸 키토산, 시아노에틸 키토산 및 아이독심 키토산 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상으로 구성된 혼합물인 것을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 비용매는 알콜계 또는 아세톤인 것임을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막
7 7
음이온성 고분자 매트릭스 표면을, 2 ∼ 3가 양이온 금속 또는 양이온성 고분자 중에서 선택된 양이온 함유 수용액에 침지시켜 고분자 매트릭스와 양이온이 상호 침투하여, 매트릭스 표면에 존재하는 음이온과 수용액 중의 양이온 간의 고-액 착물법에 의한 착물반응으로 망상구조의 착물층을 형성시키는 단계와; 상기 착물층을 수팽윤 시킨 후에, 알콜계 및 아세톤 중에서 선택된 비용매로 물을 치환하고, 건조하여 착물층의 기공도를 조절하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막의 제조방법
8 7
음이온성 고분자 매트릭스 표면을, 2 ∼ 3가 양이온 금속 또는 양이온성 고분자 중에서 선택된 양이온 함유 수용액에 침지시켜 고분자 매트릭스와 양이온이 상호 침투하여, 매트릭스 표면에 존재하는 음이온과 수용액 중의 양이온 간의 고-액 착물법에 의한 착물반응으로 망상구조의 착물층을 형성시키는 단계와; 상기 착물층을 수팽윤 시킨 후에, 알콜계 및 아세톤 중에서 선택된 비용매로 물을 치환하고, 건조하여 착물층의 기공도를 조절하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비대칭 구조를 갖는 고분자 전해질 착물막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.