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1
Sr4-ｘMgｙBaｚSi2O8:Euｘ 2+(0 ＜ｘ＜1, 0≤ｙ≤1, 0≤ｚ≤1)의 화학식을 갖는 제1 형광체와, Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)의 화학식을 갖는 제2 형광체가 혼합된 것을 특징으로 하는 형광체
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2
제 1항에 있어서, 상기 제1 형광체는 400 ~ 480nm 영역에 주피크를 갖는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 600nm 영역에 발광주피크를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
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3
제 1항에 있어서, 상기 제2 형광체는 400 ~ 480nm 영역에 주피크를 갖는 광에 의하여 여기되어 550 ~ 600nm 영역에 발광주피크를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
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4
제 1항에 있어서, 상기 제1 형광체와 제2형광체의 비율은 9
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5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체의 입자의 평균크기는 20㎛이하인 것을 특징으로 하는 형광체
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6
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체의 입자의 평균크기는 5 ~ 15㎛ 인 것을 특징으로 하는 형광체
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7
광을 내는 광원, 상기 광원을 지지하는 기판(substrate), 상기 광원 주위를 몰딩한 몰딩부재를 포함하는 발광소자에 있어서, 상기 몰딩부재에는 Sr4-ｘMgｙBaｚSi2O8:Euｘ 2+(0 ＜ｘ＜1, 0≤ｙ≤1, 0≤ｚ≤1)의 화학식을 갖는 제1 형광체와, Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)의 화학식을 갖는 제2 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광소자
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8
제 7항에 있어서, 상기 제1 형광체와 상기 제2 형광체의 비율이 9
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9
제 7항에 있어서, 상기 제1 형광체와 상기 제2 형광체의 비율이 9
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10
광을 내는 광원, 상기 광원을 지지하는 기판(substrate), 상기 광원 주위를 몰딩한 몰딩부재를 포함하는 발광소자에 있어서, 상기 다중 구조의 몰딩부재 중 적어도 어느 하나의 몰딩부재에는 Sr4-ｘMgｙBaｚSi2O8:Euｘ 2+(0 ＜ｘ＜1, 0≤ｙ≤1, 0≤ｚ≤1)의 화학식을 갖는 제1 형광체와, Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)의 화학식을 갖는 제2 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광소자
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11
제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 제1 형광체와 상기 제2 형광체의 비율은 9
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12
제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 몰딩부재는 광투과 에폭시 수지 또는 광투과 실리콘 수지중의 어느 하나인 것을 특징으로 발광소자
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13
제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 몰딩부재에 대한 형광체의 혼합 중량비율은 5 ~ 50wt％인 것을 특징으로 발광소자
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14
제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 몰딩부재는 상기 광원 주위를 전체 또는 부분적으로 몰딩한 것을 특징으로 발광소자
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15
제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 발광소자는 백색 발광 다이오드인 것을 특징으로 발광소자
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16
발광 다이오드, 기판, 형광체, 투광성 수지를 포함하는 발광소자에 있어서,상기 형광체는 Sr4-ｘMgｙBaｚSi2O8:Euｘ2+(0 ＜ｘ＜1, 0≤ｙ≤1, 0≤ｚ≤1)의 화학식을 갖는 제1 실리케이트 형광체와, Sr3-xSiO5:Eu2+x(0 < x ≤1)의 화학식을 갖는제2 실리케이트 형광체가 혼합된 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 16항에 있어서,상기 제 1실리케이트 형광체와 제 2실리케이트 형광체는 9
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17
제 16항에 있어서,상기 제 1실리케이트 형광체와 제 2실리케이트 형광체는 9
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