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알루미노 실리케이트계 층상 무기소재의 층간에 유기 고분자가 도입된 친유기성 알루미노 실리케이트계 층상 무기소재에 있어서, 상기 알루미노 실리케이트계 층상 무기소재의 층간에 도입되는 유기 고분자가, 다음 화학식 2로 표시되는 오늄기를 가지는 폴리술폰계 고분자인 것을 특징으로 하는 친유기성 알루미노 실리케이트계 층상 무기소재;[화학식 2]상기 화학식 2에서; n은 각각 1 ~ 100 사이의 정수이며, Ar은 또는 를 나타내며, R은 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민 및 방향족 아민 중에서 선택된 것을 포함한다
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제 1항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 오늄(onium)기를 가지는 폴리술폰계 고분자의 R은 N-에틸아민, N-프로필아민 및 N-부틸아민 중에서 선택된 1차 아민, N,N-디메틸아민, N,N-디에틸아민 및 N-에틸-N-메틸아민 중에서 선택된 2차 아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민 및 디에틸메틸아민 중에서 선택된 3차 아민과, 피리딘, 4-메틸피리딘, 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, N,N-디에틸아닐린 및 p-톨루이딘 중에서 선택된 방향족 아민 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 무기소재
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 폴리술폰계 고분자는 클로로메틸기의 치환율이 3 ~ 40%인 것을 특징으로 하는 무기소재
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 폴리술폰계 고분자는 수 평균 분자량이 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 무기소재
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 오늄기를 가지는 폴리술폰계 고분자는 층상 실리케이트에 대하여 1 ~ 50 중량% 범위로 도입된 것을 특징으로 하는 무기소재
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알루미노 실리케이트 층상 무기소재와,다음 화학식 2로 표시되는 오늄기를 가지는 폴리술폰계 고분자를 물, 또는 물과 극성용매의 혼합용매를 사용하여 50 ∼ 80 ℃의 온도에서 1 ∼ 5시간 동안 양이온 교환반응에 의해 개질하는 것을 특징으로 하는 친유기성 알루미노 실리케이트계 층상 무기소재의 제조방법;[화학식 2]상기 화학식 2에서; n, Ar 및 R은 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같다
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제 6 항에 있어서, 상기 극성용매는 클로로포름(CHCl3), 톨루엔, 크실렌, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 및 디메틸포름아미드(DMF) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
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