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다음 화학식 1의 반복단위를 갖는 고분자(1)와, 다음 화학식 2의 반복단위를 갖는 고분자(2) 또는 폴리비닐디플로라이드, 술폰화된 폴리비닐디플로라이드, 아민화된 폴리비닐디플로라이드, 카르복실화된 폴리비닐디플로라이드, 이미다졸화된 폴리비닐디플로라이드, 폴리설폰, 술폰화된 폴리설폰, 아민화된 폴리설폰, 카르복실화된 폴리설폰, 이미다졸화된 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 술폰화된 폴리에테르설폰, 아민화된 폴리에테르설폰, 카르복실화된 폴리에테르설폰, 이미다졸화된 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 술폰화된 폴리이미드, 아민화된 폴리이미드, 카르복실화된 폴리이미드, 이미다졸화된 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 술폰화된 폴리에테르이미드, 아민화된 폴리에테르이미드, 카르복실화된 폴리에테르이미드, 이미다졸화된 폴리에테르이미드, 폴리케톤, 술폰화된 폴리케톤, 아민화된 폴리케톤, 카르복실화된 폴리케톤, 이미다졸화된 폴리케톤, 폴리에테르케톤, 술폰화된 폴리에테르케톤, 아민화된 폴리에테르케톤, 카르복실화된 폴리에테르케톤, 이미다졸화된 폴리에테르케톤, 폴리비닐술폰산, 폴리아크릴산, 폴리이미다졸, 폴리벤즈이미다졸 및 과불소계 고분자 중에서 선택된 고분자 화합물이상호침투 그물구조 형태로 동시 가교-이미드 결합된 것임을 특징으로 하는 고분자 전해질막 :[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서, 상기 A1 및 A2는 이중결합을 1개 이상 포함하는 중합성 단량체이고; 은 술폰산기를 1개 이상 갖는 방향족 2가 고리기이고;n 및 m은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 A1 및 A2는 스티렌, 탄소수 1 ∼ 8의 직쇄 또는 분쇄형 알킬렌, 메틸 비닐 에테르, 부분 2-부틸/메틸 혼합 에스테르 스티렌, 부분 이소부틸 에스테르 스티렌, 부분 이소부틸/메틸 혼합 에스테르 스티렌 및 술폰산 스티렌 중에서 선택된 것이고, 상기은 , , , ,,, ,,중에서 선택된 술폰산기가 1개 이상 갖는 방향족 2가기이고, 상기 고분자 화합물은 폴리비닐디플로라이드, 술폰화된 폴리비닐디플로라이드, 아민화된 폴리비닐디플로라이드, 카르복실화된 폴리비닐디플로라이드, 이미다졸화된 폴리비닐디플로라이드이며,상기 n 및 m은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 A1의 중합성 단량체는 스티렌 또는 탄소수 1 ∼ 6의 직쇄 또는 분쇄형 알킬렌이고, 상기은 , , 중에서 선택된 술폰산기가 1개 이상 갖는 방향족 2가기이고, 상기 고분자 화합물은 폴리비닐디플로라이드이며,상기 n 및 m은 0
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다음의 제조과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 제조방법 :말레인산 단량체와, 이중결합을 1개 이상 포함하는 중합성 단량체를 공중합하여 다음 화학식 3로 표시되는 폴리아믹산을 중합하는 과정과;[화학식 3]상기 화학식 3에서, A1, n 및 m은 각각 상기 청구항 1에서 정의된 바와 같다,상기 화학식 3로 표시되는 폴리아믹산과, 폴리비닐디플로라이드, 술폰화된 폴리비닐디플로라이드, 아민화된 폴리비닐디플로라이드, 카르복실화된 폴리비닐디플로라이드, 이미다졸화된 폴리비닐디플로라이드, 폴리설폰, 술폰화된 폴리설폰, 아민화된 폴리설폰, 카르복실화된 폴리설폰, 이미다졸화된 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 술폰화된 폴리에테르설폰, 아민화된 폴리에테르설폰, 카르복실화된 폴리에테르설폰, 이미다졸화된 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 술폰화된 폴리이미드, 아민화된 폴리이미드, 카르복실화된 폴리이미드, 이미다졸화된 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 술폰화된 폴리에테르이미드, 아민화된 폴리에테르이미드, 카르복실화된 폴리에테르이미드, 이미다졸화된 폴리에테르이미드, 폴리케톤, 술폰화된 폴리케톤, 아민화된 폴리케톤, 카르복실화된 폴리케톤, 이미다졸화된 폴리케톤, 폴리에테르케톤, 술폰화된 폴리에테르케톤, 아민화된 폴리에테르케톤, 카르복실화된 폴리에테르케톤, 이미다졸화된 폴리에테르케톤, 폴리비닐술폰산, 폴리아크릴산, 폴리이미다졸, 폴리벤즈이미다졸 및 과불소계 고분자 중에서 선택된 고분자 화합물 및 다음 화학식 5 표시되는 방향족 디아민을 이미드화 반응시켜다음 화학식 1의 반복단위를 갖는 고분자(1)와, 다음 화학식 2의 반복단위를 갖는 고분자(2) 또는 고분자 화합물이 상호침투 그물구조 형태로 동시 가교-이미드 결합된 고분자 전해질막을 제조하는 과정;[화학식 5] [화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1, 2 및 5에서, A1, A2, n 및 m은 각각 상기 청구항 1에서 정의된 바와 같다
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