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a)원자층 증착 반응기에 나노구조체 기판을 도입하는 단계;
b)상기 나노구조체 기판 상에 금속 원 및 산소 원을 교대로 공급하여 금속산화막을 형성하는 단계; 및
c)상기 금속산화막이 형성된 나노구조체 기판을 수소 분위기에서 열처리여 금속 나노입자를 생성하는 단계; 및
d)상기 금속 나노입자가 생성된 기판 상에 탄소나노튜브를 제조하는 단계;
를 포함하는, 탄소나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 나노구조체 기판은 나노선, 나노막대 또는 나노바늘 형태의 나노구조체가 표면에 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 나노구조체는 기판 상에 수직 배향된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제3항에 있어서,
상기 나노구조체는 산화아연, 산화주석 또는 질화갈륨으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 b) 단계의 금속 원으로 니켈(Ni) 원, 코발트(Co) 원, 망간(Mn) 원, 철(Fe) 원, 루테늄(Ru) 원, 로듐(Rh) 원, 이리듐(Ir) 원, 팔라듐(Pd) 원, 백금(Pt) 원 또는 이의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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6
제5항에 있어서,
상기 b) 단계의 금속 원으로 니켈 원을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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7
제6항에 있어서,
상기 니켈 원으로 하기 화학식 1의 아미노알콕사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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8
제7항에 있어서,
화학식 1의 m이 1 또는 2임을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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9
제6항에 있어서,
니켈 원으로 염화니켈 (NiCl2), Ni(acac)2 (acac = 아세틸아세토네이토), Ni(tmhd)2 (tmhd = 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토), Ni(dmg)2 (dmg = 디메틸글리옥시메이토), Ni(apo)2 (apo = 2-아미노-펜트-2-엔-4-오네이토) 중에서 한 화합물을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 b) 단계의 산소 원으로 물, 산소, 오존, 또는 산소 플라스마를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 90 내지 200℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 c) 단계의 열처리는 400 내지 700℃ 범위에서 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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(삭제)
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(삭제)
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제1항에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 니켈 나노 입자가 형성된 기판 상에 500 ~ 700 ℃ 온도 범위에서 에틸렌 가스를 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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