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반도체 나노입자 제조를 위한 단일 전구체

  • 기술번호 : KST2015138833
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속원 및 칼코겐원소원으로 단일한 카바자이트계 금속 착화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 나노 입자의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 하기의 화학식 1로 표시되는 카바자이트계 금속 착화합물 및 이를 이용한 금속 칼코게나이드 나노 입자의 제조방법을 제공한다. [화학식 1] 반도체 나노입자, 카드뮴 칼코게나이드, 납 칼코게나이드, 카바자이트
Int. CL C07F 11/00 (2011.01) C07F 3/00 (2011.01) C07F 7/24 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01)
출원번호/일자 1020080032658 (2008.04.08)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0940009-0000 (2010.01.26)
공개번호/일자 10-2009-0107252 (2009.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석상일 대한민국 대전광역시 유성구
2 풀라케쉬 베라 인도 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0253094-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0299591-63
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0219103-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0439440-63
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0439485-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0474452-12
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.12.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0062214-15
11 등록결정서
Decision to grant
2010.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0026194-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 카바자이트계 금속 착화합물
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 R은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 페닐, 나프틸 또는 벤질로부터 선택되는 카바자이트계 금속 착화합물
4 4
a) 하기 화학식 2의 카바자이트계 화합물 및 금속염을 반응시켜 금속 카바자이트계 착화합물을 제조하는 단계; 및 b)수득된 금속 카바자이트계 착화합물을 열분해 하여 금속 칼코게나이드를 제조하는 단계; 를 포함하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 금속염 및 금속 칼코게나이드의 금속은 Pb 또는 Cd로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 금속염은 금속질산염, 금속황산염, 금속탄산염, 금속유기산염 또는 금속할로겐화물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 카바자이트계 화합물은 금속염에 대하여 1몰비 내지 4몰비로 사용하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 a) 단계의 반응은 30 내지 80℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
9 9
제 4항에 있어서, 상기 b) 단계의 반응은 용매, 덮개리간드 또는 이들의 혼합물 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 용매는 에틸렌글리콜(Ethylene glycol), 디메틸술폭시드(Dimethylsulfoxide), 피리딘(Pyridine), 톨루엔(Toluene) 또는 이의 혼합물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 덮개 리간드는 티올화합물 또는 이의 혼합물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 티올화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
13 13
제 4항에 있어서, 상기 b) 단계의 반응은 50℃ 내지 180℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국화학연구원 부품소재기술개발사업 무기입자/유기물 복합체의 3차원 구조, 전자 특성및 계면제어 기술