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새로운 실리콘(IV) 착화합물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015138849
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 실리콘(IV) 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물로서, 실리콘에 디알킬아미노기가 배위된 착화합물은 열적으로 안정하고 공기 중에서도 안정하며 휘발성이 높고 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 형성시 탄소나 할로겐 오염을 일으키지 않아 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있는 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막의 화학증착용 선구 물질로서 유용한 새로운 실리콘(IV) 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. [화학식 1] SiR1m(OCR2R3(CH2)nNR4R5)4-m 상기 식에서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C7 선형 또는 분지형 알킬이고, m,n은 1 내지 3 범위의 정수이다. 실리콘, 착화합물, 실리콘 산화물, 박막, 화학증착
Int. CL C07F 7/18 (2006.01) C07F 7/10 (2006.01)
CPC C07F 7/1804(2013.01) C07F 7/1804(2013.01) C07F 7/1804(2013.01) C07F 7/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020080036387 (2008.04.18)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0961562-0000 (2010.05.27)
공개번호/일자 10-2009-0110737 (2009.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 채원묵 대한민국 전남 순천시
4 황광택 대한민국 서울시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0279307-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0028081-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0354480-10
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0650733-85
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0720588-25
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0801135-90
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052655-75
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2010.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0009205-38
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0116978-96
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0117004-20
14 등록결정서
Decision to grant
2010.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0212652-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4 및 R5가 각각 독립적으로 CH3, C2H5 및 CH(CH3)2 로 이루어진 군에서 선택된 알킬기임을 특징으로 하는 실리콘 착화합물
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리콘 착화합물이 트리(메틸)-(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘(IV), 디(메틸)-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘(IV) 또는 (메틸)-트리(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘(IV)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 착화합물
4 4
하기 화학식 2의 실리콘 화합물과 하기 화학식 3의 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 실리콘 착화합물의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 화학식 3에서, 상기 M은 H, Li, Na 또는 K인 것을 특징으로하는 실리콘 착화합물의 제조방법
6 6
제1항에 따른 실리콘 착화합물을 선구 물질로 사용하여 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막을 성장시키는 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 박막을 성장시키는 방법은 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의한 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막을 성장시키는 방법
8 8
제6항 또는 제7항의 방법으로 성장된 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 요업기술원 부품소재기술개발사업 Preceramics 융합공정용 선구 물질 개발