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원자층 증착법을 이용한 구리산화물 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015138863
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리 전구체를 사용하여 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 구리 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 비휘발성 RRAM 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구리 산화물 박막의 제조방법은 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기질에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 구리 산화물 박막은 저항 전환 현상을 가지므로 이를 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM 등에 응용할 수 있다. 구리 전구체, 구리 산화물 박막, 원자층 증착법
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020080072021 (2008.07.24)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0010998 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대한민국 대전시 중구
2 김창균 대한민국 대전시 유성구
3 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
4 안기석 대한민국 대전시 유성구
5 이병국 대한민국 대전시 유성구
6 이영국 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0531458-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0046115-86
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0318421-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0620712-03
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0691959-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0773729-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0773723-48
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0281700-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
a) 원자층 증착 반응기에 구리 원으로서 하기 화학식 1의 구리 아미노알콕사이드를 공급하여 기질 위에 구리 화학종을 흡착시키는 단계; b) 반응하지 않은 구리 원과 반응 부산물을 원자층 증착 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 원자층 증착 반응기에 산소 원을 공급하여 구리 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계; 및 d) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 원자층 증착 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계; 포함하는 구리 산화물 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에서, 화학식 1의 m이 1 또는 2인 구리 산화물 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에서, 산소 원은 물, 산소, 오존, 또는 산소 플라스마로부터 선택되는 구리 산화물 박막의 제조 방법
4 4
제 3 항에서, 산소 원은 물인 것을 특징으로 하는 구리 산화물 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에서, 공급되는 구리 원의 온도를 실온 내지 70 ℃ 범위에서 유지하는 구리 산화물 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에서, 기질의 온도를 80 내지 400 ℃ 범위에서 유지하는 구리 산화물 박막의 제조 방법
7 7
제 6 항에서, 기질의 온도를 110 내지 140 ℃ 범위에서 유지하는 구리 산화물 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에서, a) 내지 d) 단계를 반복하여 수행하는 구리 산화물 박막의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 구리 산화물 박막을 기질 상에 형성하는 단계; 및 상기 구리 산화물 박막 상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 비휘발성 RRAM 소자의 제조방법
10 10
제 9 항에서, 상기 기질은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄화규소(SiC), 유리 및 유기고분자로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
11 11
제 10 항에서, 상기 기질은 표면에 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 전극층이 형성된 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
12 12
제 9 항에서, 전극은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 비휘발성 RRAM 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 신공정용 나노/마이크로 패터닝 소재 개발