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구리 아미노알콕사이드 선구 물질을 사용하여 원자층 증착법으로 구리 박막을 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015138879
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리 아미노알콕사이드 선구 물질을 구리의 원료 화합물로 사용하여 원자층 증착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 구리 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 구리 산화물 박막을 얻을 수 있다. 구리 박막, 구리 전구체, 원자층 증착법
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020080084602 (2008.08.28)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0025870 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
2 안기석 대한민국 대전 유성구
3 정택모 대한민국 대전 유성구
4 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
5 이병국 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0614934-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0052659-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0413852-22
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0746542-58
7 보정요구서
Request for Amendment		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0104706-52
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0764242-88
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0833237-56
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0034402-54
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0034394-76
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0421129-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 구리 원으로 하기 화학식 1의 구리 아미노알콕사이드를 원자층 증착 반응기에 공급하여 기질 위에 구리 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 구리 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 수소 플라즈마 공급하여 구리 화학종이 흡착한 기질에서 리간드를 제거하는 단계, 및 4) 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계; 를 포함하는 원자층 증착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에서, 화학식 1에서 m이 1 또는 2인 원자층 증착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에서, 상기 수소 플라즈마는 10 내지 200W의 세기로 공급되는 원자층 증착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
4 4
제 3 항에서, 상기 수소 플라즈마는 20 내지 100sccm의 수소 기체를 리모트 플라즈마 생성기로 주입하여 10 내지 200W의 세기로 플라즈마를 생성한 후 원자층 증착 반응기에 0
5 5
제 1 항에서, 구리 원의 온도를 실온에서 100 ℃까지 변화시켜 사용하는 원자층 증착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에서, 기질의 온도를 80 ℃에서 240 ℃까지 변화시켜 사용하는 원자층 증착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
7 7
제 1 항에서, 기질로 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 웨이퍼, 탄화규소(SiC), 유리, 또는 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 루테늄(Ru)으로부터 선택되는 금속, 또는 질화 탄탈륨(TaN) 또는 질화티타늄(TiN)으로부터 선택되는 질화 금속, 또는 질화규소(SiN)를 사용하는 원자층 침착법에 의한 구리 박막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 신공정용 나노/마이크로 패터닝 소재 개발