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새로운 하프늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015138893
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 하프늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 하프늄 알콕사이드 화합물은 열적으로 안정하여 하프늄 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다. [화학식 1] Hf(OCR1R2R3)4 [상기 화학식 1에서 R1 및 R2는 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3는 C2-C5의 선형 알케닐 혹은 알키닐기다.] 하프늄, 하프늄 산화물 전구체, 하프늄 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)
Int. CL C01G 27/00 (2006.01)
CPC C07F 7/00(2013.01) C07F 7/00(2013.01) C07F 7/00(2013.01) C07F 7/00(2013.01) C07F 7/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080113164 (2008.11.14)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0992982-0000 (2010.11.02)
공개번호/일자 10-2010-0054300 (2010.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20101109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
4 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
5 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
6 윤혜정 대한민국 부산광역시 동래구
7 류병환 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0787072-47
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850966-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
4 등록결정서
Decision to grant
2010.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0480702-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 하프늄 알콕사이드 화합물: [화학식 1] Hf(OCR1R2R3)4 [상기 화학식 1에서 R1 및 R2는 독립적으로 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3는 C2-C5의 선형 알케닐 혹은 알키닐기다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 또는 C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R3는 C≡CH, CH2C≡CH, CH2CH2C≡CH, C≡CCH3, CH2C≡CCH3 또는 CH2CH2C≡CCH3인 것을 특징으로 하는 하프늄 알콕사이드 화합물
3 3
하기 화학식 2로 표시되는 하프늄 아미드 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 알코올 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 하프늄 알콕사이드 화합물의 제조방법
4 4
하기 화학식 4로 표시되는 하프늄 할라이드 화합물과 하기 화학식 5로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 하프늄 알콕사이드 화합물의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항의 하프늄 알콕사이드 화합물을 전구체로 사용하는 것을 특징으로 하는 하프늄 산화물 박막의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 하프늄 산화물 박막은 화학기상 증착법(MOCVD) 또는 원자층 증착법(ALD)으로 형성되는 하프늄 산화물 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 신공정용 나노/마이크로 패터닝 소재 개발