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1
Ba4-xMgySrzSi2O8:Eu2+x (단, 여기서 0＜x≤1, 1＜y＜5, 2＜z＜5)의 화학식으로 표시되는 형광체
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2
제 1항에 있어서,
상기 x는 0
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3
광원;
상기 광원을 지지하는 하우징부;
상기 광원 주위의 적어도 일부 영역에 형성되는 광투과부재; 및
상기 광투과부재에 혼입되는 Ba4-xMgySrzSi2O8:Eu2+x (단, 여기서 0＜x≤1, 1＜y＜5, 2＜z＜5)의 화학식으로 표현되는 형광체가 포함되는 발광 소자
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4
제 3항에 있어서,
상기 광원은 430~480nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자
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5
광원;
상기 광원을 지지하는 하우징부;
상기 광원 주위의 적어도 일부 영역에 형성되는 광투과부재; 및
상기 광투과부재에 혼입되는 Ba4-xMgySrzSi2O8:Eu2+x (단, 여기서 0＜x≤1, 1＜y＜5, 2＜z＜5)의 화학식으로 표현되는 제1형광체 및 상기 광원에서 방출된 광에 의해 여기되어 580~640nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 광을 방출하는 제2형광체가 포함되는 발광 소자
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6
제 5항에 있어서,
상기 광원은 430~480nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자
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7
제 5항에 있어서,
상기 제2형광체는 Ca0
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8
제 5항에 있어서,
상기 제1형광체는 상기 광원에서 방출된 광에 의해 여기되어 500~550nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 소자
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9
제1광원 및 제2광원;
상기 제1광원 및 제2 광원을 지지하는 하우징부;
상기 제1광원 및 제2 광원 주위의 적어도 일부 영역에 형성되는 광투과부재; 및
상기 광투과부재에 혼입되는 Ba4-xMgySrzSi2O8:Eu2+x (단, 여기서 0＜x≤1, 1＜y＜5, 2＜z＜5)의 화학식으로 표현되는 형광체가 포함되는 발광 소자
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10
제 9항에 있어서,
상기 제1광원은 430~480nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자
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11
제 9항에 있어서,
상기 제2광원은 580~640nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자
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12
제 10항에 있어서,
상기 형광체는 상기 제1광원에서 방출된 광에 의해 여기되어 500~550nm의 파장 범위에서 중심 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 소자
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