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고분자전해질을 이용한 저온 수계 ＣＩ(Ｇ)Ｓ(ＣｕＩｎｘＧａ１­ｘＳｅ2) 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015138975
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 화합물 태양전지의 광 흡수층 물질인 CI(G)S(CuInxGa1-xSe2; 0＜x≤1)의 나노입자를 저온 하에서 수계 반응하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 자세하게는 구리화합물 및 인듐화합물과, 고분자전해질을 수계반응하여 얻어지는 착물과, 상기 착물에 셀레늄 화합물을 반응하여 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 저온 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법에 관한 것으로서, 수용액을 기반으로 하는 환경친화적인 제조방법에 관한 것이다.저온공정, CIGS, 고분자전해질, 나노입자, 수계반응
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C01G 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01)
CPC C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01) C01G 3/006(2013.01)
출원번호/일자 1020090082061 (2009.09.01)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1116404-0000 (2012.02.07)
공개번호/일자 10-2011-0024174 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이두형 대한민국 대구광역시 수성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
4 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
5 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
6 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
7 최영민 대한민국 대전광역시 서구
8 류병환 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0538586-64
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655906-48
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0238735-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0479488-28
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0479475-35
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067398-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
(a) 폴리에틸렌이민, 폴리아크릴산 나트륨염 및 폴리아크릴산 암모늄염으로부터 선택되는 고분자전해질, 구리화합물 및 인듐화합물을 수계 용매하에 반응시켜 구리 및 인듐을 포함한 착물을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 착물수용액에 셀레늄화합물을 투입하여 0 내지 80℃에서 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계;를 포함하는 수계CI(G)S 나노입자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자전해질은 구리화합물 및 인듐화합물의 합에 대하여, 1
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계의 수계 용매는 물, 알코올, 또는 이들의 혼합물을 이용하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계의 셀레늄화합물은 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3), 알킬셀레나이드(알킬=메틸 또는 에틸), 나트륨셀레나이드 및 암모늄셀레나이드로부터 선택되는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 셀레늄화합물은 셀레노아황산나트륨인 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계의 구리화합물 및 인듐화합물은 구리 또는 인듐을 포함하는 아세트산염, 질산염, 탄산염, 황산염, 염화물, 요오드화물, 브롬화물, 산화물, 수산화물 및 과염소산염으로부터 선택되는 1종 이상인 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 구리화합물, 인듐화합물 및 셀레늄화합물은 금속환산으로 구리, 인듐, 및 셀레늄의 몰비가 1:1:2 이 되도록 공급하는 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 (a) 단계에서 구리 1몰에 대하여 인듐과 갈륨이 x:1-x (0＜x＜1)가 되도록 갈륨을 더 투입하는 것을 포함하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
10 10
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101164797 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2011028011 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2011028011 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부/지식경제부 한국화학연구원/한국화학연구원 협동연구사업/전략기술개발사업 용액화학기반형 저가,고효율 CIGS 박막 태양전지 소재 및 잉크 기술개발/다이렉트 나노패터닝용반도체 잉크소재 개발