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하기 화학식 1로 표시되는 카바자이트계 인듐(In) 착화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 카바자이트계 구리(Cu) 착화합물을 혼합한 카바자이트계 착물형 혼합물
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제 3항에 있어서,카바자이트계 인듐(In) 착화합물은 [In(S-methyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-ethyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-propyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-butyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-pentyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-hexyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-phenyldithiocarbazate)2Cl2]Cl, [In(S-naphthyldithiocarbazate)2Cl2]Cl 또는 [In(S-benzyldithiocarbazate)2Cl2]Cl로부터 선택되는 카바자이트계 착물형 혼합물
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제 3항에 있어서,카바자이트계 구리(Cu) 착화합물은 Cu(S-methyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-ethyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-propyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-butyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-pentyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-hexyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-phenyldithiocarbazate)Cl2, Cu(S-naphthyldithiocarbazate)Cl2 또는 Cu(S-benzyldithiocarbazate)Cl2로부터 선택되는 카바자이트계 착물형 혼합물
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제 3항에 있어서,상기 카바자이트계 인듐(In) 착화합물과 카바자이트계 구리(Cu) 착화합물은 몰비 1 : 1 ~ 3으로 혼합되는 카바자이트계 착물형 혼합물
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a) 하기 화학식 3의 카바자이트계 화합물 및 인듐금속염을 반응시켜 카바자이트계 인듐(In) 착화합물을 제조하고, 하기 화학식 3의 카바자이트계 화합물 및 구리금속염을 반응시켜 카바자이트계 구리(Cu) 착화합물을 제조하는 단계; 및 b) 수득된 카바자이트계 인듐(In) 착화합물과 카바자이트계 구리(Cu) 착화합물을 1 : 1 ~ 3의 몰비로 혼합하여 카바자이트계 착물형 혼합물을 제조한 후 열분해 하여 금속 칼코게나이드를 제조하는 단계;를 포함하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 금속염은 금속질산염, 금속황산염, 금속탄산염, 금속유기산염 또는 금속할로겐화물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 a) 단계에서 상기 카바자이트계 화합물은 금속염에 대하여 1몰비 내지 4몰비로 사용하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 a) 단계의 반응은 30℃ 내지 80℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 b) 단계의 반응은 50℃ 내지 180℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 b) 단계의 반응은 용매, 덮개리간드 또는 이들의 혼합물 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 용매는 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 에틸렌디아민(ethylene diamine), 헥사메틸렌디아민(hexamethylenediamine), 디메틸술폭시드(dimethylsulfoxide), 피리딘(pyridine), 톨루엔(toluene) 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 덮개 리간드는 티올화합물 또는 이들의 혼합물로부터 선택되는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 티올화합물은 하기 화학식 4의 구조를 가지는 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법
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