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신규의 인듐 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139004
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. [화학식 1] In[O-A-NR1R2]2[NR32] 상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고 R3는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이다. 본 발명에 따르는 인듐 화합물은 인듐 또는 산화 인듐의 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 승화되는 특성을 나타냄으로 인듐을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 인듐 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C07F 5/00 (2011.01) C07F 19/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) C23C 16/30 (2011.01)
CPC C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020100068912 (2010.07.16)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0087071 (2010.08.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2008-0083172 (2008.08.26)
관련 출원번호 1020080083172
심사청구여부/일자 Y (2013.08.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
4 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
5 이선숙 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2010.07.16 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0459717-97
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0707131-52
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0565050-12
4 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0913659-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 인듐 아미노알콕사이드 화합물
2 2
제 1항에 있어서,하기 화학식 2로 표시되는 인듐 아미노알콕사이드 화합물
3 3
제 2항에 있어서,상기 m이 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 인듐 아미노알콕사이드 화합물
4 4
제 2항에 있어서,상기 R1, R2, R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소, CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되며, R3는 CH3, C2H5, CH(CH3)2, C(CH3)3, Si(CH3)3, Si(C2H5)3 또는 Si(CH3)2(C2H5)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 인듐 아미노알콕사이드 화합물
5 5
하기 화학식 3으로 표시되는 인듐 화합물과 화학식 4로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시켜 얻은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물과 화학식 6의 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 인듐 아미노알콕사이드 화합물의 제조방법
6 6
하기 화학식 7로 표시되는 인듐 아미드 화합물과 화학식 8로 표시되는 아미노알코올 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 인듐 아미노알콕사이드 화합물의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 인듐 아미노알콕사이드 화합물을 선구물질로 사용하여 인듐을 포함하는 박막 또는 나노 물질을 제조하는 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 인듐을 포함하는 박막은 화학기상 증착법(MOCVD) 또는 원자층 침착법(ALD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 인듐을 포함하는 박막 또는 나노 물질을 제조하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100976877 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 투명 전자소자용 전구체 및 금속 산화물 성막기술 개발(창의적연구)